27pTJ-9 シリコン中10原子空孔の電子状態(27pTJ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))

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概要

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• 2011-03-03

著者

• 押山 淳

  東大院工

• 山崎 隆浩

  東大生研

• 山本 武範

  東大生研

• 大野 隆央

  東大生研

• 内田 和之

  東京大学大学院工学系研究科物理工学専攻

• 斎藤 峯雄

  金沢大理工

• 山崎 隆浩

  東大生研:富士通研

• 石井 史之

  金沢大自然

• 居波 哲

  金沢大理工

• 石井 史之

  金沢大理工

• 大野 隆央

  物質材料研究機構:東大生産研

• 大野 隆央

  物材機構:東大生研

• 大野 隆央

  東大理

• 大野 隆央

  金属材料技術研究所

• 大野 隆央

  Ntt基礎研究所

• 大野 隆央

  物質・材料研究機構計算科学センター

• 大野 隆央

  東京大学生産技術研究所

• 山本 武範

  東大生研:東邦大理

• 山本 武範

  東邦大理:東大生研

• 大野 隆央

  物材機構:jst-crest

• 内田 和之

  東大院工

• 斎藤 峯雄

  金沢大理工:東大生研

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