27aYC-11 半導体結晶粒界に局在した電子状態に関する理論的考察

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 2001-03-09

著者

• 内田 和之

  東京大学大学院工学系研究科物理工学専攻

• 常行 真司

  東京大学物性研究所

• 内田 和之

  東京大学物性研究所

関連論文

• 27aRB-12 シリコン結晶中の格子欠陥V_の原子構造と電子構造の第一原理的研究(27aRB 格子欠陥・ナノ構造(半導体・シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• BCNヘテロダイヤモンドの理論設計
• 24aRA-12 グラフェンリボンに対する電界ドープの第一原理計算(グラファイト・グラフェン,領域7,分子性固体・有機導体)
• 光刺激脱離過程に対する理論的アプローチ
• Pt(111)表面上のNO分子の吸着構造
• 21pPSA-24 h-BNシート中の原子空孔のエネルギー論(21pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 30aPS-18 帯電界面の第一原理計算の為のフェルミエネルギー分割法の開発(2)(30aPS 領域9ポスターセッション(表面,界面,結晶成長),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 21aPS-25 帯電界面の第一原理計算の為のフェルミエネルギー分割法の開発(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24aPS-164 フェニルジチオール分子群における帯電効果の普遍性と個別性の検討(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 15aPS-58 有機分子フェニルジチオールにおける電子 : 格子相互作用の電子状態計算に基づく研究(領域 9)
• 30aYT-1 Jastrow-Slater型波動関数を用いたセルフコンシステントな第一原理電子状態計算
• 20pWB-4 ナノ・キャパシタにおける電荷分極状態の第一原理的な計算手法の開発と量子効果の解析(電子系(密度汎関数法),領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
• 23aYF-14 炭素ナノ物質のキャパシタにおける量子効果(23aYF ナノチューブ伝導,領域7(分子性固体・有機導体))
• 29a-D-10 第一原理計算によるA_1C_重合機構の研究
• 21aXA-1 ナノ・キャパシタの電気容量における静電遮蔽の効果(21aXA 領域9,領域7合同 ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 30aPS-39 SrTiO_3における格子欠陥と光キャリアの相互作用に関する第一原理計算(領域5ポスターセッション)(領域5)
• 22aXC-1 SrTiO_3 のフォトキャリアの性質に関する第一原理計算
• 29aXJ-12 量子常誘電体 SrTiO_3 におけるキャリアドープ効果の第一原理計算
• 19pPSB-19 第一原理計算によるシリコン{130}傾角粒界の界面電子状態の再考
• 27aYC-11 半導体結晶粒界に局在した電子状態に関する理論的考察
• 23pS-8 炭素結晶系の圧力誘起構造転位における動的効果
• 1p-T-9 第一原理計算から見たSi中ミュオニウム/水素の量子状態
• 8a-YJ-13 並列計算機を用いた大規模第一原理経路積分シミュレーション
• 8a-S-8 シリコン結晶中の水素/ミュオニウムの量子状態の第一原理的研究
• 30p-YH-17 第一原理経路積分分子動力学法によるプロトン格子相互作用の研究
• OME2000-54 原子レベルで制御されたハイブリッド構造の創成と物性探索
• 27pTJ-9 シリコン中10原子空孔の電子状態(27pTJ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 22aGQ-9 シリコン中10原子空孔の特異な電子構造(22aGQ 格子欠陥・ナノ構造(シリコン系材料),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 結晶シリコン中のミュオニウムと水素原子
• 24pSB-6 微少ねじれ角で積層した2層グラフェンの大規模電子状態計算による解析(24pSB 領域7,領域4合同 グラフェン(構造・物性),領域7(分子性固体・有機導体))
• 18aFE-7 Si(111)面上の√7×√3-インジウム表面のDFT計算による解析(18aFE 表面界面電子物性・表面局所光学現象,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 27pXT-7 2層グラフェン系の電子構造(27pXT 領域7,領域4合同シンポジウム:カーボンナノチューブ・グラフェン・原子膜物質の新展開,領域7(分子性固体・有機導体))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク