15aPS-58 有機分子フェニルジチオールにおける電子 : 格子相互作用の電子状態計算に基づく研究(領域 9)

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 2004-08-25

著者

• 内田 和之

  東京大学大学院工学系研究科物理工学専攻

• 影島 博之

  NTT物性基礎研

• 猪川 洋

  Ntt物性研

• 内田 和之

  NTT物性研

関連論文

• 22pGV-7 SiC上エピタキシャルグラフェンの原子構造と電子状態(22pGV 領域7,領域4,領域6,領域9合同シンポジウム:グラフェンの生成・評価と物性-最前線と展望-,領域7(分子性固体・有機導体))
• 27aRB-12 シリコン結晶中の格子欠陥V_の原子構造と電子構造の第一原理的研究(27aRB 格子欠陥・ナノ構造(半導体・シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• シリコンカーバイド上のグラフェン成長 (特集 材料基礎研究最前線)
• 単結晶グラフェン基板の創製に向けた SiC 上エピタキシャル少数層グラフェンの層数解析
• 27pYE-4 SiC(0001)上のC原子の吸着構造とその安定性(グラフェン電子物性(形成と評価),領域7,分子性固体・有機導体)
• 25aYG-5 水素終端極薄Si(111)ナノキャパシタの電気特性の第一原理計算 : Si層の有効誘電率(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• マンガンをイオン注入したSOI層の磁気特性(機能ナノデバイス及び関連技術)
• 23pXA-13 水素終端極薄Si(111)ナノキャパシタの電気特性の第一原理計算 : 膜厚の効果(23pXA 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 22pPSA-73 水素終端Si(111)単二重層ナノキャパシタの電気特性の第一原理計算(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 薄膜・表面物理分科会企画 : 最新表面顕微鏡技術とナノテクノロジーへの応用
• 25pPSA-14 第一原理計算によるPt薄膜の磁性(領域3ポスターセッション(スピントロニクス・遍歴磁性等),領域3,磁性,磁気共鳴)
• SiC上エピタキシャルグラフェン成長の理論検討(グラフェンの成長と応用)
• 単結晶グラフェン基板の創製に向けたSiC上エピタキシャル少数層グラフェンの層数解析
• 24aRA-12 グラフェンリボンに対する電界ドープの第一原理計算(グラファイト・グラフェン,領域7,分子性固体・有機導体)
• MOSFETを利用した室温での単一電子転送・検出とその応用 : SOIを用いた素子作製と特性評価(単電子/単光子検出とマニピュレーション)
• 20aYC-4 シリコン二次元電子系における占有率4の倍数に沿った抵抗のリッジ(量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• シリコン・ナノデバイスを用いた室温での単一電子転送と検出 : SOIを使った素子作製とその特性評価(量子効果デバイス及び関連技術)
• シリコン・ナノデバイスを用いた室温での単一電子転送と検出 : SOIを使った素子作製とその特性評価
• 25pWS-4 SiC(0001)表面上のエピタキシャルグラフェン島の原子構造と磁気電気効果(25pWS 領域9,領域7合同 グラフェン,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 21pPSA-24 h-BNシート中の原子空孔のエネルギー論(21pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 30aPS-18 帯電界面の第一原理計算の為のフェルミエネルギー分割法の開発(2)(30aPS 領域9ポスターセッション(表面,界面,結晶成長),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 21aPS-25 帯電界面の第一原理計算の為のフェルミエネルギー分割法の開発(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24aPS-164 フェニルジチオール分子群における帯電効果の普遍性と個別性の検討(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 15aPS-58 有機分子フェニルジチオールにおける電子 : 格子相互作用の電子状態計算に基づく研究(領域 9)
• マンガンをイオン注入したSOI層の磁気特性(機能ナノデバイス及び関連技術)
• MOSFETを利用した室温での単一電子転送・検出とその応用 : SOIを用いた素子作製と特性評価(単電子/単光子検出とマニピュレーション)
• シリコン・ナノデバイスを用いた室温での単一電子転送と検出 : SOIを使った素子作製とその特性評価(量子効果デバイス及び関連技術)
• シリコン・ナノデバイスを用いた室温での単一電子転送と検出 : SOIを使った素子作製とその特性評価
• 酸化誘起歪みと量子サイズ効果に起因するSi SET動作機構の伝導方向依存性
• 酸化誘起歪みと量子サイズ効果に起因するSi SET動作機構の伝導方向依存性
• 酸化誘起歪みと量子サイズ効果に起因するSi SET動作機構の伝導方向依存性
• パターン依存酸化(PADOX)法を用いて製作したSi SETにおけるポテンシャルプロファイル形成機構
• 20pWB-4 ナノ・キャパシタにおける電荷分極状態の第一原理的な計算手法の開発と量子効果の解析(電子系(密度汎関数法),領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
• 23aYF-14 炭素ナノ物質のキャパシタにおける量子効果(23aYF ナノチューブ伝導,領域7(分子性固体・有機導体))
• Si酸化における界面反応の第一原理計算(レギュラーセッション,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• 水素終端ダイヤモンドFETのゲート金属界面
• ダイヤモンド高周波デバイスの現状と課題
• 22pWA-7 第一原理計算のSiプロセスへの応用と新しい計算手法の開発(領域11,領域4合同シンポジウム:コンピュテーショナル・マテリアルズ・デザイン(CDM^[○!R])先端研究事例,領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
• 22pWA-7 第一原理計算のSiプロセスへの応用と新しい計算手法の開発(領域11,領域4合同シンポジウム,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 22aPS-60 第一原理計算による二次元系Pdの磁性発現に関する研究(領域3ポスターセッション(f電子,遍歴,化合物,酸化物,磁性一般,表面・界面),領域3,磁性,磁気共鳴)
• 21aWH-9 SiO_2/Si(100)界面でのSi輸送過程(表面界面ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 第一原理計算法I
• 26aYK-9 SiO_2中の酸素拡散と酸素安定サイトの存在の可能性(26aYK 格子欠陥・ナノ構造(アモルファス・転位・シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 14pTJ-2 SiO_2 中格子間酸素の構造および拡散の歪みによる影響(格子欠陥・ナノ構造, 領域 10)
• 15aPS-30 SiO_2/Si(100) 界面における酸素分子反応の第一原理計算(領域 9)
• 15aPS-29 SiO_2/Si(100) での格子間 Si の研究(領域 9)
• 21pXA-9 SiO_2/Si(100) 界面近傍における余剰 Si 点欠陥の安定性
• 28pPSB-43 SiO_2/Si(100) 界面での酸素原子反応過程の理論的検討
• 21aXA-1 ナノ・キャパシタの電気容量における静電遮蔽の効果(21aXA 領域9,領域7合同 ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 30aPS-39 SrTiO_3における格子欠陥と光キャリアの相互作用に関する第一原理計算(領域5ポスターセッション)(領域5)
• 22aXC-1 SrTiO_3 のフォトキャリアの性質に関する第一原理計算
• 29aXJ-12 量子常誘電体 SrTiO_3 におけるキャリアドープ効果の第一原理計算
• 19pPSB-19 第一原理計算によるシリコン{130}傾角粒界の界面電子状態の再考
• 27aYC-11 半導体結晶粒界に局在した電子状態に関する理論的考察
• SiO_2中の拡散に与えるSi/SiO_2界面の影響
• パターン依存酸化(PADOX)法を用いて製作したSi SETにおけるポテンシャルプロファイル形成機構
• 23aYD-14 シリコン酸化物中の余剰原子および欠陥の拡散挙動 : 第一原理分子動力学計算からのアプローチ
• 新しい機能性ナノ構造開発のための計算物理技術 (特集 新しい機能性ナノ構造にかかわる基礎研究)
• Si酸化膜中におけるB拡散とSi自己拡散の相関(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• グラフェン (特集 ナノ材料の光科学最前線)
• 19aYN-7 Si酸化における原子輸送の物理(格子欠陥・ナノ構造(シミュレーション・電子状態),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 新しい物理モデルに基づいたシリコン熱酸化のシミュレーション
• 解説 シリコン熱酸化の新しい描像
• 極薄シリコン酸化膜形成の理論
• 単電子トランジスタの論理回路応用--多値論理への新展開
• SiC(0001)面上エピタキシャルグラフェンの構造と形成 (シリコン材料・デバイス)
• SiCの熱分解によるグラフェン成長とLEEM評価技術 (特集 ナノカーボンデバイス材料の可能性に迫る)
• 27pTJ-9 シリコン中10原子空孔の電子状態(27pTJ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 26aTA-3 SiC上グラフェンの表面増強ラマン散乱(26aTA 領域7,領域9合同 グラフェン(ラマン分光/端状態),領域7(分子性固体・有機導体))
• 24pPSA-56 si酸化膜界面におけるSi原子の振る舞い
• Si/SiO_2界面形成における歪みの役割
• 22aTE-6 SiC上グラフェンの表面増強ラマン散乱II(22aTE 領域7,領域9合同 グラフェン(分光),領域7(分子性固体・有機導体))
• 22aTE-5 トレンチモデルを用いたSiC(0001)上グラフェン成長の検討(22aTE 領域7,領域9合同 グラフェン(分光),領域7(分子性固体・有機導体))
• 22aGQ-9 シリコン中10原子空孔の特異な電子構造(22aGQ 格子欠陥・ナノ構造(シリコン系材料),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• SiC(0001)面上エピタキシャルグラフェンの構造と形成(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• 27aY-13 Si(100)表面酸化に伴う表面からのSi原子放出量の理論検討
• シリコン量子井戸におけるトンネル電流注入発光(機能ナノデバイス及び関連技術)
• シリコン量子井戸におけるトンネル電流注入発光(機能ナノデバイス及び関連技術)
• シリコン量子井戸におけるトンネル電流注入発光
• シリコン量子井戸におけるトンネル電流注入発光
• 26pSB-10 SiC(0001)面上エピタキシャルグラフェン成長の初期過程(26pSB 領域7,領域9合同 グラフェン(分光),領域7(分子性固体・有機導体))
• 24pSB-6 微少ねじれ角で積層した2層グラフェンの大規模電子状態計算による解析(24pSB 領域7,領域4合同 グラフェン(構造・物性),領域7(分子性固体・有機導体))
• 18aFE-7 Si(111)面上の√7×√3-インジウム表面のDFT計算による解析(18aFE 表面界面電子物性・表面局所光学現象,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 19aEC-5 SiC(11-20)a面上エピタキシャルグラフェンの理論(19aEC 領域7,領域9合同 グラフェン(分光・構造),領域7(分子性固体・有機導体))
• 18pPSA-30 Pd超薄膜の磁性の層数依存性(18pPSA 領域3ポスターセッション(スピントロニクス・薄膜・人工格子・表面・スピングラス・磁気共鳴・実験技術・磁性一般),領域3(磁性,磁気共鳴))
• 27pXT-7 2層グラフェン系の電子構造(27pXT 領域7,領域4合同シンポジウム:カーボンナノチューブ・グラフェン・原子膜物質の新展開,領域7(分子性固体・有機導体))
• 26aPS-25 第一原理計算によるPd超薄膜の電子構造及び磁気特性の検討(26aPS 領域3ポスターセッション,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 28aDK-7 SiC(0001)上0層グラフェン成長における表面形状の起源(グラフェン(分光・構造),領域7,領域4合同,領域7(分子性個体・有機導体))
• 9aSN-9 SiO2/Si(100)界面近傍における原子状酸素の安定性(表面・界面ダイナミクス,領域9)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク