内田 和之 | 東京大学大学院工学系研究科物理工学専攻

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概要

• 同名の論文著者
• 東京大学大学院工学系研究科物理工学専攻の論文著者

関連著者

• 内田 和之

  東京大学大学院工学系研究科物理工学専攻

• 押山 淳

  東大院工

• 押山 淳

  東京大学大学院工学系研究科

• 影島 博之

  NTT物性基礎研

• 猪川 洋

  Ntt物性研

• 内田 和之

  NTT物性研

• 内田 和之

  東京大学大学院工学系研究科

• 岡田 晋

  筑波大学大学院数理物質科学研究科

• 押山 淳

  東京大学大学院工学系研究科物理工学専攻

• 岡田 晋

  筑波大計科セ:crest

• 内田 和之

  筑波大計科セ

• 山崎 隆浩

  東大生研

• 山本 武範

  東大生研

• 大野 隆央

  東大生研

• 押山 淳

  東大物工

• 白石 賢二

  筑波大計科セ

• 山崎 隆浩

  東大生研:富士通研

• 石井 史之

  金沢大自然

• 居波 哲

  金沢大理工

• 石井 史之

  金沢大理工

• 大野 隆央

  物質材料研究機構:東大生産研

• 大野 隆央

  物材機構:東大生研

• 大野 隆央

  東大理

• 大野 隆央

  金属材料技術研究所

• 大野 隆央

  Ntt基礎研究所

• 大野 隆央

  物質・材料研究機構計算科学センター

• 常行 真司

  東京大学物性研究所

• 押山 淳

  筑波大計科セ

• 大野 隆央

  東京大学生産技術研究所

• 山本 武範

  東大生研:東邦大理

• 山本 武範

  東邦大理:東大生研

• 大野 隆央

  物材機構:jst-crest

• 内田 和之

  東大院理・物理

• 常行 真司

  東大院理・物理

• 内田 和之

  東京大学物性研究所

• 内田 和之

  東大院工

• 白石 賢二

  筑波大計科セ:筑波大院数物:crest-jst

• 斎藤 峯雄

  金沢大理工:東大生研

• 居波 哲

  金沢大自然

• 斎藤 峯雄

  金沢大自然

• 常行 真司

  東大院理

• 斎藤 峯雄

  金沢大理工

• 常行 真司

  東京大学大学院理学系研究科物理学専攻

• 白石 賢二

  筑波大院数物

• 内田 和之

  東大院理

• 岩田 潤一

  筑波大計算センター:crest

• 岩田 潤一

  東京大学大学院工学系研究科

• 岩田 潤一

  東京大学大学院工学系研究科物理工学専攻

• 古家 真之介

  東京大学大学院工学系研究科物理工学専攻

• 古家 真之介

  東京大学大学院工学系研究科

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著作論文

• 27aRB-12 シリコン結晶中の格子欠陥V_の原子構造と電子構造の第一原理的研究(27aRB 格子欠陥・ナノ構造(半導体・シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 24aRA-12 グラフェンリボンに対する電界ドープの第一原理計算(グラファイト・グラフェン,領域7,分子性固体・有機導体)
• 21pPSA-24 h-BNシート中の原子空孔のエネルギー論(21pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 30aPS-18 帯電界面の第一原理計算の為のフェルミエネルギー分割法の開発(2)(30aPS 領域9ポスターセッション(表面,界面,結晶成長),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 21aPS-25 帯電界面の第一原理計算の為のフェルミエネルギー分割法の開発(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24aPS-164 フェニルジチオール分子群における帯電効果の普遍性と個別性の検討(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 15aPS-58 有機分子フェニルジチオールにおける電子 : 格子相互作用の電子状態計算に基づく研究(領域 9)
• 20pWB-4 ナノ・キャパシタにおける電荷分極状態の第一原理的な計算手法の開発と量子効果の解析(電子系(密度汎関数法),領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
• 23aYF-14 炭素ナノ物質のキャパシタにおける量子効果(23aYF ナノチューブ伝導,領域7(分子性固体・有機導体))
• 21aXA-1 ナノ・キャパシタの電気容量における静電遮蔽の効果(21aXA 領域9,領域7合同 ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 30aPS-39 SrTiO_3における格子欠陥と光キャリアの相互作用に関する第一原理計算(領域5ポスターセッション)(領域5)
• 22aXC-1 SrTiO_3 のフォトキャリアの性質に関する第一原理計算
• 29aXJ-12 量子常誘電体 SrTiO_3 におけるキャリアドープ効果の第一原理計算
• 19pPSB-19 第一原理計算によるシリコン{130}傾角粒界の界面電子状態の再考
• 27aYC-11 半導体結晶粒界に局在した電子状態に関する理論的考察
• 27pTJ-9 シリコン中10原子空孔の電子状態(27pTJ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 22aGQ-9 シリコン中10原子空孔の特異な電子構造(22aGQ 格子欠陥・ナノ構造(シリコン系材料),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 24pSB-6 微少ねじれ角で積層した2層グラフェンの大規模電子状態計算による解析(24pSB 領域7,領域4合同 グラフェン(構造・物性),領域7(分子性固体・有機導体))
• 18aFE-7 Si(111)面上の√7×√3-インジウム表面のDFT計算による解析(18aFE 表面界面電子物性・表面局所光学現象,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 27pXT-7 2層グラフェン系の電子構造(27pXT 領域7,領域4合同シンポジウム:カーボンナノチューブ・グラフェン・原子膜物質の新展開,領域7(分子性固体・有機導体))

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