常行 真司 | 東京大学物性研究所

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概要

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関連著者

• 常行 真司

  東京大学物性研究所

• 荻津 格

  東京大学物性研究所

• 荻津 格

  東大物性研:イリノイ大

• 三宅 隆

  東京大学物性研究所

• 内田 和之

  東京大学大学院工学系研究科物理工学専攻

• 三宅 隆

  産総研:js-crest

• 館山 佳尚

  東京大学物性研究所

• 内田 和之

  東京大学物性研究所

• 梅澤 直人

  物質材料研究機構(NIMS)

• 常行 真司

  東大院理

• 岡野 達雄

  東大生研

• 向井 孝三

  東大物性研

• 赤木 和人

  東北大WPI

• 吉信 淳

  東京大学物性研究所

• 常行 真司

  東京大学大学院理学系研究科

• 草部 浩一

  東京大学物性研究所

• 福谷 克之

  東京大学生産技術研究所

• 北村 光

  京大院理

• 岡野 達雄

  東京大学生産技術研究所

• 松本 益明

  東京大学生産技術研究所

• 相澤 秀昭

  北大創成

• 赤木 和人

  東大院理

• 梅澤 直人

  南カリフォルニア大

• 北村 光

  東京大学物性研究所

• 菊地 章仁

  東大物生研

• 赤木 和人

  東北大

• 相澤 秀昭

  物材機構

• 相澤 秀昭

  物質・材料研究機構計算材料科学研究センター

• 相澤 秀昭

  東京大学物性研究所

• 辰巳 夏生

  住友電気

• 辰巳 夏生

  東京大学生産技術研究所

• 相澤 秀昭

  東京大学理学部

• 梅澤 直人

  東京大学物性研究所

• 草部 浩一

  大阪大 大学院基礎工学研究科

• 赤木 和人

  東京大学物性研究所

• 菊地 章仁

  東京大学物性研究所

• 向井 孝三

  東京大学物性研究所

• 山下 良之

  東京大学物性研究所

• 萩津 格

  東京大学物性研究所

• 三宅 隆

  産業技術融合領域研究所

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著作論文

• BCNヘテロダイヤモンドの理論設計
• 光刺激脱離過程に対する理論的アプローチ
• Pt(111)表面上のNO分子の吸着構造
• 30aYT-1 Jastrow-Slater型波動関数を用いたセルフコンシステントな第一原理電子状態計算
• 29a-D-10 第一原理計算によるA_1C_重合機構の研究
• 19pPSB-19 第一原理計算によるシリコン{130}傾角粒界の界面電子状態の再考
• 27aYC-11 半導体結晶粒界に局在した電子状態に関する理論的考察
• 23pS-8 炭素結晶系の圧力誘起構造転位における動的効果
• 1p-T-9 第一原理計算から見たSi中ミュオニウム/水素の量子状態
• 8a-YJ-13 並列計算機を用いた大規模第一原理経路積分シミュレーション
• 8a-S-8 シリコン結晶中の水素/ミュオニウムの量子状態の第一原理的研究
• 30p-YH-17 第一原理経路積分分子動力学法によるプロトン格子相互作用の研究
• OME2000-54 原子レベルで制御されたハイブリッド構造の創成と物性探索
• 結晶シリコン中のミュオニウムと水素原子

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