結晶シリコン中のミュオニウムと水素原子
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概要
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半導体を記述するのに成功を収めてきた密度汎関数法に基づく第一原理計算は, 今日さまざまな格子欠陥に適用され, 物性の解明に寄与している. ところがシリコン中の水素不純物は, 実験から予想される安定位置が理論的にはポテンシャル面の極大点であるという矛盾に悩まされてきた. 最新の計算機シミュレーョンは, このパズルが思いがけない不純物の零点振動効果によることを示唆する.
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1999-03-05
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