猪川 洋 | Ntt物性研
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概要
関連著者
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猪川 洋
Ntt物性研
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藤原 聡
Ntt物性科学基礎研究所
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小野 行徳
NTT物性科学基礎研究所
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高橋 庸夫
北海道大学 大学院情報科学研究科
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西口 克彦
NTT物性科学基礎研究所
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猪川 洋
静岡大学電子工学研究所
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西口 克彦
日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研究所
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高橋 庸夫
北大
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高橋 庸夫
北海道大学情報科学研究科
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猪川 洋
静岡大学 電子工学研究所
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内田 和之
東京大学大学院工学系研究科物理工学専攻
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影島 博之
NTT物性基礎研
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内田 和之
NTT物性研
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小野 行徳
Ntt
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高橋 庸夫
北海道大学大学院情報科学研究科
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平山 祥郎
NTT物性基礎研
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高品 圭
NTT物性科学基礎研究所
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平山 祥郎
東北大理:erato-jst
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高橋 庸夫
NTT物性基礎研
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太田 剛
NTT物性基礎研
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太田 剛
SORST-JST
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ブルン マークオレル
SORST-JST
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モード ダンカン
LCMI-CNRS
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高品 圭
バース大物理
著作論文
- MOSFETを利用した室温での単一電子転送・検出とその応用 : SOIを用いた素子作製と特性評価(単電子/単光子検出とマニピュレーション)
- 20aYC-4 シリコン二次元電子系における占有率4の倍数に沿った抵抗のリッジ(量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- シリコン・ナノデバイスを用いた室温での単一電子転送と検出 : SOIを使った素子作製とその特性評価(量子効果デバイス及び関連技術)
- シリコン・ナノデバイスを用いた室温での単一電子転送と検出 : SOIを使った素子作製とその特性評価
- 30aPS-18 帯電界面の第一原理計算の為のフェルミエネルギー分割法の開発(2)(30aPS 領域9ポスターセッション(表面,界面,結晶成長),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21aPS-25 帯電界面の第一原理計算の為のフェルミエネルギー分割法の開発(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24aPS-164 フェニルジチオール分子群における帯電効果の普遍性と個別性の検討(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 15aPS-58 有機分子フェニルジチオールにおける電子 : 格子相互作用の電子状態計算に基づく研究(領域 9)
- MOSFETを利用した室温での単一電子転送・検出とその応用 : SOIを用いた素子作製と特性評価(単電子/単光子検出とマニピュレーション)
- シリコン・ナノデバイスを用いた室温での単一電子転送と検出 : SOIを使った素子作製とその特性評価(量子効果デバイス及び関連技術)
- シリコン・ナノデバイスを用いた室温での単一電子転送と検出 : SOIを使った素子作製とその特性評価
- 単電子トランジスタの論理回路応用--多値論理への新展開