山崎 隆浩 | 東大生研:富士通研
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概要
関連著者
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山崎 隆浩
東大生研:富士通研
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斎藤 峯雄
金沢大理工:東大生研
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斎藤 峯雄
金沢大自然
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山崎 隆浩
東大生研
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大野 隆央
物質材料研究機構:東大生産研
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大野 隆央
物材機構:東大生研
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大野 隆央
東大理
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大野 隆央
金属材料技術研究所
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大野 隆央
Ntt基礎研究所
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大野 隆央
物質・材料研究機構計算科学センター
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大野 隆央
東京大学生産技術研究所
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山本 武範
東大生研:東邦大理
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山本 武範
東邦大理:東大生研
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大野 隆央
物材機構:jst-crest
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山本 武範
東大生研
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大野 隆央
東大生研
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居波 哲
金沢大理工
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居波 哲
金沢大自然
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斎藤 峯雄
金沢大理工
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石井 史之
金沢大自然
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石井 史之
金沢大理工
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押山 淳
東大院工
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内田 和之
東京大学大学院工学系研究科物理工学専攻
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中本 淳嗣
金沢大自然
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岡本 政邦
東大生研
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岡本 政邦
日立機械研
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内田 和之
東大院工
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野中 聡
旭川医科大学耳鼻咽喉科・頭頸部外科学講座
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野中 源一郎
九州大学薬学部
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石井 史之
金沢大自然研
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山崎 隆浩
富士通研究所
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山本 武範
東邦大理
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大野 隆央
NIMS
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山崎 隆浩
富士通研
著作論文
- 20pHT-7 シリコン中多原子空孔の大規模第一原理計算(20pHT 格子欠陥,ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 25pYK-10 シリコン中原子空孔の大規模第一原理計算(格子欠陥・ナノ構造(半導体,理論,力学物性),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 21aRB-11 シリコン中単原子空孔の構造に関する第一原理計算(21aRB 格子欠陥・ナノ構造(半導体・シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 23pYF-3 結晶における陽電子寿命の第一原理計算(格子欠陥・ナノ構造(シミュレーション),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 22aPS-123 固体中陽電子寿命の第一原理計算(領域4ポスターセッション,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 26aWZ-11 シリコン10原子空孔の大規模第一原理計算(26aWZ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体格子欠陥,X線・粒子線フォノン))
- 27pTJ-9 シリコン中10原子空孔の電子状態(27pTJ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 22aGQ-9 シリコン中10原子空孔の特異な電子構造(22aGQ 格子欠陥・ナノ構造(シリコン系材料),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))