21aRB-11 シリコン中単原子空孔の構造に関する第一原理計算(21aRB 格子欠陥・ナノ構造(半導体・シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 2008-08-25

著者

• 斎藤 峯雄

  金沢大自然

• 斎藤 峯雄

  金沢大理工

• 山崎 隆浩

  富士通研究所

• 山崎 隆浩

  東大生研:富士通研

• 山本 武範

  東邦大理

• 大野 隆央

  NIMS

• 大野 隆央

  物質材料研究機構:東大生産研

• 大野 隆央

  物材機構:東大生研

• 大野 隆央

  東大理

• 大野 隆央

  金属材料技術研究所

• 大野 隆央

  Ntt基礎研究所

• 大野 隆央

  物質・材料研究機構計算科学センター

• 大野 隆央

  東京大学生産技術研究所

• 山本 武範

  東大生研:東邦大理

• 山本 武範

  東邦大理:東大生研

• 大野 隆央

  物材機構:jst-crest

• 斎藤 峯雄

  金沢大理工:東大生研

• 山崎 隆浩

  富士通研

関連論文

• 21aHT-3 グラフェンにおけるアドアトム関連欠陥の第1原理計算(21aHT 格子欠陥・ナノ構造(炭素系物質),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 23aGS-14 非磁性基板上グラフェンナノリボンの磁性と電子構造(23aGS グラフェン,領域7(分子性固体・有機導体))
• 20pHT-7 シリコン中多原子空孔の大規模第一原理計算(20pHT 格子欠陥,ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 20pGQ-4 Biナノリボンの第一原理計算(20pGQ 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 28aYE-7 キャリヤドーピングによるアームチェアグラフェンナノリボンの磁性発現(グラフェン電子物性(物性予測),領域7,分子性固体・有機導体)
• 電流方向を考慮した歪みSiデバイスのスケーリングに関する検討(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• 3次元モンテカルロ・シミュレーションによるマルチゲートMOSFETの検討(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• 25aYK-1 グラフェンアドアトムとその二量体の構造と拡散(格子欠陥・ナノ構造(炭素),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 29pRB-15 グラフェンアドアトムとダイマーの動的過程(29pRB 領域10,領域9合同(金属・陽電子・水素・炭素),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 27aYH-10 グラフェンナノリボンのキャリアドーピングによる磁性制御(27aYH グラフェン・グラファイト関連,領域7(分子性固体・有機導体))
• 22pWA-5 半導体デバイス用絶縁膜材料開発における原子スケールシミュレーションの活用(領域11,領域4合同シンポジウム:コンピュテーショナル・マテリアルズ・デザイン(CDM^[○!R])先端研究事例,領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
• 22pWA-5 半導体デバイス用絶縁膜材料開発における原子スケールシミュレーションの活用(領域11,領域4合同シンポジウム,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• ナノデバイスに向けたシリコン/絶縁体界面の解明と設計のための試み (特集 原子・電子レベルからの材料界面設計)
• HfO_2系ゲート絶縁膜の熱的安定性に対する窒素添加効果(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• HfO_2系高誘電率ゲート絶縁膜の熱的安定 : 分子動力学シミュレーション(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
• Si/SiO_2界面の窒素によるトラップレベルの発生(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• 高誘電率ゲート絶縁膜材料の結晶化シミュレーション
• Si/SiO_2界面の構造と電子状態
• 26pYL-5 Si(100)/SiO_2界面欠陥の電子状態
• 26aPS-8 Sio_2/Si(001)界面の電子構造
• 29a-PS-9 SiO_2/Si(001)界面構造と電子状態(II)
• 27a-PS-11 SiO_2/Si(001)界面構造と電子状態
• 31a-PS-20 SiO_2/Siの界面構造(II)
• 7a-PS-31 SiO_2/Siの界面構造
• 25pYK-10 シリコン中原子空孔の大規模第一原理計算(格子欠陥・ナノ構造(半導体,理論,力学物性),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 21aRB-11 シリコン中単原子空孔の構造に関する第一原理計算(21aRB 格子欠陥・ナノ構造(半導体・シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 23pYF-3 結晶における陽電子寿命の第一原理計算(格子欠陥・ナノ構造(シミュレーション),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 22aPS-123 固体中陽電子寿命の第一原理計算(領域4ポスターセッション,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 26pPSB-39 Bi原子スケール薄膜の第一原理計算(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 26pPSB-13 基板上グラフェンナノリボンの電子状態(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 28aRF-4 Bi{012}超薄膜における双安定性と相対論的効果(28aRF 格子欠陥・ナノ構造(シミュレーション・電子状態),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 20aPS-2 Si(111)表面上の半金属Biナノ薄膜の成長及び電子状態の研究II(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 20pXA-12 Si(111)表面上の半金属Biナノ薄膜の成長及び電子状態の研究(表面・界面ダイナミクス(半導体表面・実験),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 31a-TA-9 Si(001)面再配列構造と古典的ポテンシャル : 擬ポテンシャル法との比較及び検討
• 29p-PSB-8 SI(001)上のAl、Gaの吸着IV
• 27a-Y-9 Si(001)上へのAl、Gaの吸着 III
• Si(100)表面初期酸化における層状成長とP_欠陥生成
• Si(100)面の酸化反応における等温及び断熱遷移過程
• 3a-K-9 スピン分極GGAによるSi(100)面の初期酸化過程の解析II
• 30a-PS-8 スピン分極GGAによるSi(001)面の初期酸化過程の解析
• 21pYE-5 ナノ薄膜Biの構造・対称性と電子構造(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 21pYE-4 Si(111)表面上Bi(001)超薄膜の光電子分光測定(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 21aPS-24 Bi(001)薄膜の原子構造と安定性(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 電流方向を考慮した歪みSiデバイスのスケーリングに関する検討(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• 3次元モンテカルロ・シミュレーションによるマルチゲートMOSFETの検討(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• 26aWZ-11 シリコン10原子空孔の大規模第一原理計算(26aWZ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体格子欠陥,X線・粒子線フォノン))
• 24aPS-101 グラフェンにおけるアドアトム・空孔対の第一原理計算(24aPS 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24aPS-103 カーボンナノチューブにおけるアドアトム・空孔対の安定構造(24aPS 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• TiSi_2の圧力誘起C54-C49構造相転移の理論的研究
• 23pRA-5 基板上グラフェンナノリボンにおける磁性(23pRA グラフェン,領域7(分子性固体・有機導体))
• 26pXD-5 高分解能低速電子線回折による半金属Biナノ薄膜の構造相転移観察(表面・界面ダイナミクス,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 22pPSA-40 グラフェンアドアトムの動的過程と集合(22pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 7a-PS-30 Si(001)表面のSiダイマーの拡散と凝集
• 29a-PS-1 Si(001)表面のSiダイマー拡散
• アトムテクノロジ-研究体におけるVPP500の応用事例 (特集 HPC(High Performance Computing))
• 30a-PS-9 第一原理計算によるSi(001)表面の結晶成長素過程の解析II
• 27pPSA-26 Si(111)表面上Bi超薄膜の魔法厚と電子状態(領域9ポスターセッション)(領域9)
• 22aYD-11 Si(111) 表面上 Bi 超薄膜の魔法厚
• 31pZE-2 Si(111) 表面上 Bi 薄膜の原子構造と電子構造
• 22pPSB-31 グラフェンにおけるアドアトムおよびダイマーの第一原理シミュレーション(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 22aTD-2 グラフェン固有欠陥の拡散と集合(格子欠陥・ナノ構造(炭素・ナノ構造),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 25aYK-7 グラフェン固有欠陥の第一原理計算(25aYK 格子欠陥・ナノ構造(微粒子・ナノ構造・炭素物質),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 31a-J-1 第一原理計算による水素終端Si(100)面上のAl原子吸着
• 12a-A-12 TiSi_2構造の擬ポテンシャル法による検討
• 13a-PS-1 PWPP-CP法によるSi(001)表面の水素吸着構造
• 28pXD-6 グラフェン多原子空孔における5員環の生成(28pXD 格子欠陥,ナノ構造(半導体・炭素),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 21aPS-81 グラフェン多原子空孔の安定性(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24aPS-131 DNAの赤外吸収スペクトルに対する第一原理計算(領域12ポスターセッション,領域12,ソフトマター物理,化学物理,生物物理)
• 20aPS-121 DNAの赤外吸収スペクトルにおける水の影響(20aPS 領域12ポスターセッション,領域12(ソフトマター物理,化学物理,生物物理))
• 25pPSB-49 DNAの赤外吸収スペクトルにおける水の効果(ポスターセッション,領域12,ソフトマター物理,化学物理,生物物理)
• 領域10,領域4,領域8「高濃度ドープへの挑戦とそれに伴う格子欠陥の解決」(第64回年次大会シンポジウムの報告)
• 28pRF-1 はじめに(28pRF 領域10,領域4,領域8合同シンポジウム:高濃度ドープへの挑戦とそれに伴う格子欠陥の解決,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 28pRF-1 はじめに(28pRF 領域10,領域4,領域8合同シンポジウム:高濃度ドープへの挑戦とそれに伴う格子欠陥の解決,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 25aPS-39 Ca_3CoMnO_6における交換相互作用と電気分極の第一原理計算(25aPS-3 領域3ポスターセッション,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 27pTJ-5 グラフェンシート上アドアトム・空孔対に対する第一原理計算(27pTJ 格子欠陥・ナノ構造(炭素・水素),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 28pTA-12 基板上グラフェンにおける磁性と伝導特性(28pTA 領域7,領域9合同 グラフェン(修飾/キャリア・ドープ),領域7(分子性固体・有機導体))
• 25pPSB-27 V族ナノ薄膜の原子構造と電子状態(25pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 25pTB-4 カーボンナノチューブの磁性と伝導の第一原理計算(25pTB ナノチューブ,領域7(分子性固体・有機導体))
• 27pTJ-9 シリコン中10原子空孔の電子状態(27pTJ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 27pPSA-23 Biエッジ状態の第一原理計算(27pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24aHA-2 グラフェン・ナノチューブにおけるアドアトム関連欠陥の第一原理計算(24aHA 表面ナノ構造量子物性(微粒子・クラスタ),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 23pHA-5 Biナノリボンの電子状態に及ぼす基板の影響(23pHA 表面界面電子物性(シミュレーション),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 21aTG-3 カーボンナノチューブの電気伝導の第一原理計算 : 水素不純物と磁性電極の影響(21aTG ナノチューブ1,領域7(分子性固体・有機導体))
• 21aPS-108 Ca_3CoMnO_6の三角格子における磁気秩序と電気分極の第一原理計算(21aPS 領域3ポスターセッション,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 21pTE-13 磁性電極を用いたグラフェンにおける伝導特性の第一原理計算(21pTE 領域7,領域4合同 グラフェン(伝導特性),領域7(分子性固体・有機導体))
• 22aGQ-9 シリコン中10原子空孔の特異な電子構造(22aGQ 格子欠陥・ナノ構造(シリコン系材料),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 23pPSB-30 First-principles study of healing of adatom-vacancy pair in carbon nanotubes
• 26pPSB-63 Electronic Structures of Adatom-vacancy Pair Defects in Nano-carbon Materials
• 24pCK-4 第一原理計算によるBi薄膜のRashba効果の解析(24pCK 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24aSB-5 多層グラフェン/Ni(111)のRashba効果と電気伝導の第一原理計算(24aSB 領域4,領域7合同 グラフェン(不純物・界面・伝導特性),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 21aPSB-4 第一原理計算に基づいたCa_3CoMnO_6の電気磁気相図の理論(21aPSB 領域8ポスターセッション(低温3),領域8(強相関系:高温超伝導強相関f電子系など))
• 18pFE-2 反転対称性の破れたBi多層薄膜の第一原理計算(18pFE 表面界面電子物性・トポロジカル表面,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 26pPSA-10 Bi多層膜におけるフェルミ面とスピン構造の第一原理計算 : 膜厚依存性(26pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 28pPSA-1 PbTiO3薄膜へのキャリアドーピングとRashba効果の第一原理計算(28pPSA 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 26pPSA-51 シリセン不純物の第一原理計算(26pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 26pPSA-9 First-principles calculations of positron lifetimes for ferromagnetic materials
• 26aKE-1 強磁性体の陽電子消滅寿命の外部磁場依存性(X線・粒子線(電子線・陽電子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 26pPSA-4 BaTiO_3の構造相転移過程におけるスピン分裂の第一原理計算(領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 27pPSA-50 人工超格子(LaMnO_3)_n/(SrTiO_3)_mの第一原理計算(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 27pPSA-18 六員環構造を持つ層状物質の電子状態計算(27pPSA 領域10ポスターセッション(誘電体,フォノン,格子欠陥・ナノ構造),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク