Si/SiO_2界面の窒素によるトラップレベルの発生(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
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概要
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シリコン/酸化膜界面構造の中の様々な窒素の配位状態に対する構造安定性、電子状態、電荷捕獲特性、導入窒素に関係した水素解離反応を第一原理分子動力学法により計算した。酸化膜中の二配位の窒素、基板中の窒素近傍に発生する三配位のシリコンは、未結合手に由来する局在準位を持ち、これらはいずれも正孔を捕獲する傾向が強い。水素はこの未結合手を終端して局在準位を消失するが、基板中の窒素近傍の水素-シリコン結合の解離反応は正の荷電状態の下で容易に起こる。MOSデバイスのNBTIは基板側に窒素が侵入することで促進される可能性が高い。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-06-15
著者
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