計算化学統合プラットフォームSCIGRESSの適用事例 (特集 材料設計ソリューションの開発・利用の現状と課題) -- (個別ソリューション・プラットフォーム事例)

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る

著者

• 金田 千穂子

  富士通研究所

• 山崎 隆浩

  富士通研究所

• 山崎 隆浩

  富士通研

関連論文

• 電流方向を考慮した歪みSiデバイスのスケーリングに関する検討(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• 3次元モンテカルロ・シミュレーションによるマルチゲートMOSFETの検討(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• 第51回応用物理学関係連合講演会(2004年)
• シリコン技術
• 22pWA-5 半導体デバイス用絶縁膜材料開発における原子スケールシミュレーションの活用(領域11,領域4合同シンポジウム:コンピュテーショナル・マテリアルズ・デザイン(CDM^[○!R])先端研究事例,領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
• 22pWA-5 半導体デバイス用絶縁膜材料開発における原子スケールシミュレーションの活用(領域11,領域4合同シンポジウム,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• ナノデバイスに向けたシリコン/絶縁体界面の解明と設計のための試み (特集 原子・電子レベルからの材料界面設計)
• HfO_2系ゲート絶縁膜の熱的安定性に対する窒素添加効果(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• 結晶工学分科会, シリコンテクノロジー分科会共同企画 : 超高速・低消費電力トランジスタを実現する結晶材料・プロセス・デバイス技術
• HfO_2系高誘電率ゲート絶縁膜の熱的安定 : 分子動力学シミュレーション(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
• Si/SiO_2界面の窒素によるトラップレベルの発生(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• 半導体A(シリコン)
• 高誘電率ゲート絶縁膜材料の結晶化シミュレーション
• Si/SiO_2界面の構造と電子状態
• 26pYL-5 Si(100)/SiO_2界面欠陥の電子状態
• 26aPS-8 Sio_2/Si(001)界面の電子構造
• 29a-PS-9 SiO_2/Si(001)界面構造と電子状態(II)
• 27a-PS-11 SiO_2/Si(001)界面構造と電子状態
• 31a-PS-20 SiO_2/Siの界面構造(II)
• 酸化膜中の水素関連不純物による欠陥および電荷捕獲中心の生成
• 7a-PS-31 SiO_2/Siの界面構造
• 酸化膜中欠陥の物理
• 酸化膜中の局所的歪みおよび不純物によるトラップ生成
• 21aRB-11 シリコン中単原子空孔の構造に関する第一原理計算(21aRB 格子欠陥・ナノ構造(半導体・シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 31a-TA-9 Si(001)面再配列構造と古典的ポテンシャル : 擬ポテンシャル法との比較及び検討
• 29p-PSB-8 SI(001)上のAl、Gaの吸着IV
• 27a-Y-9 Si(001)上へのAl、Gaの吸着 III
• Si(100)表面初期酸化における層状成長とP_欠陥生成
• Si(100)面の酸化反応における等温及び断熱遷移過程
• 3a-K-9 スピン分極GGAによるSi(100)面の初期酸化過程の解析II
• 30a-PS-8 スピン分極GGAによるSi(001)面の初期酸化過程の解析
• 電流方向を考慮した歪みSiデバイスのスケーリングに関する検討(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• 3次元モンテカルロ・シミュレーションによるマルチゲートMOSFETの検討(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• TiSi_2の圧力誘起C54-C49構造相転移の理論的研究
• 2p-Z-12 シリコン中の炭素-酸素複合体による赤外吸収
• 31a-Z-7 シリコン中の炭素-酸素複合体の安定構造
• 3p-Q-11 シリコン中の炭素-酸素複合体の安定構造
• 7a-PS-30 Si(001)表面のSiダイマーの拡散と凝集
• 29a-PS-1 Si(001)表面のSiダイマー拡散
• アトムテクノロジ-研究体におけるVPP500の応用事例 (特集 HPC(High Performance Computing))
• 30a-PS-9 第一原理計算によるSi(001)表面の結晶成長素過程の解析II
• 31a-J-1 第一原理計算による水素終端Si(100)面上のAl原子吸着
• 12a-A-12 TiSi_2構造の擬ポテンシャル法による検討
• 13a-PS-1 PWPP-CP法によるSi(001)表面の水素吸着構造
• 28a-ZS-3 Si(100)上へのAl、Gaの吸着II
• 26a-G-8 格子間型不純物酸素によるSi結晶の低温弾性異常 (II)
• 29p-K-12 GeドープによるSi:Oの局在モード変調(II)
• 31p-TB-1 Si中の格子間酸素による1750cm吸収帯の起源
• シリコン中の酸素のふるまい (半導体の不純物精密制御とクリ-ン化)
• 30a-ZD-11 Si(100)上へのAl,Gaの吸着
• 酸化膜中の欠陥と電荷捕獲--量子論的計算によるアプロ-チ
• 3a-M-11 アモルファスSiO_2中の不純物による正孔捕獲と原子移動
• アモルファスSiO2における欠陥と劣化
• 27a-N-13 SiO_2中のholeのself-trapに対する局所的構造変化の影響
• 31p-S-12 第一原理計算によるSi(001)表面の結晶成長素過程の解析
• 31a-S-12 Si(001)表面上の欠陥構造と電子状態
• 計算化学統合プラットフォームSCIGRESSの適用事例 (特集 材料設計ソリューションの開発・利用の現状と課題) -- (個別ソリューション・プラットフォーム事例)
• 19aAG-2 SiC中の螺旋転位構造と電子状態(19aAG 格子欠陥・ナノ構造(シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 1a-L2-10 Si:oにおけるオフセンタートンネル励起-局在フォノン相互作用(半導体,(ナローギャップ半導体・輸送現象))
• 28p-LE-1 格子間型不純物酸素によるシリコン結晶の低温弾性異常(半導体)
• 26pJB-8 Si(110)-(16×2)表面五員環構造の起源(表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク