パターン依存酸化(PADOX)法を用いて製作したSi SETにおけるポテンシャルプロファイル形成機構
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概要
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パターン依存酸化(PADOX)法を用いて製作したSi単電子トランジスタ(SET)におけるポテンシャルプロファイル形成機構を, AFMによる素子構造測定, 第一原理計算, 実効ポテンシャル法を用いて考察した。構造変調を取り入れた量子サイズ効果だけではSET動作に適したポテンシャル形状は得られないが, 素子中央部における圧縮応力を考慮するとSET動作に必要なポテンシャル形状が得られることを示した。すなわち, SET内細線部における幅減少のために生ずるトンネル障壁内に, Si島に対応するポテンシャル井戸が歪みによるバンドギャップ低下に伴い形成されSET動作が可能なポテンシャルプロファイルになる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-02-09
著者
-
影島 博之
NTT物性基礎研
-
永瀬 雅夫
NTT物性基礎研
-
高橋 庸夫
NTT物性基礎研
-
村瀬 克実
NTT物性科学基礎研究所
-
白石 賢二
NTT物性科学基礎研究所
-
白石 賢二
筑波大学物理学系
-
永瀬 雅夫
Ntt物性科学基礎研究所
-
堀口 誠二
日本電信電話株式会社ntt物性科学基礎研究所
-
白石 賢二
筑波大物理
-
堀口 誠二
NTT物性科学基礎研究所
-
高橋 庸夫
北海道大学情報科学研究科
-
永瀬 雅夫
Ntt 物性科学基礎研
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