Si-SETにおける孤立Si島への単電子メモリ効果
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
SIMOX基板上のSi細線複合構造を熱酸化することによって作製したSi単電子トランジスタ(SET)において、コンダクタンスのゲート電圧依存性にヒステリシス特性を観測した。これは、細線の組み合わせと熱酸化速度のパターン形状依存性による効果で、SET島近傍にトンネル接合を介して孤立Si島が形成され、SET島から孤立島への単電子メモリ効果が生じているとして説明できる。また、SET島から孤立島への単電子トンネリングを、SETのコンダクタンス変調として、時間軸上で明瞭に確認することができた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-04-21
著者
関連論文
- シリコン相補型単電子インバーター : V-PADOX法による作製とその特性評価
- パターン依存酸化(PADOX)法を用いて製作したSi SETにおけるポテンシャルプロファイル形成機構
- 極薄SIMOX-Si層エッジからのSiO_2障壁を介した電子トンネル
- Si-SETにおける孤立Si島への単電子メモリ効果
- Si-SETにおける孤立Si島への単電子メモリ効果
- 半導体表面の測定技術[v・完] : 原子間力顕微鏡法 (AFM),その他の測定技術
- 半導体表面の測定技術[iv] : ラマン分光法 (RS),走査トンネル顕微鏡法 (STM)
- 半導体表面の測定技術[3] : 全反射蛍光X線分析法 (TXRF),ラザフォード後方散乱法 (RBS)
- 半導体表面の測定技術[2] : オージェ電子分光法 (AES),X線光電子分光法 (XPS)
- 2次イオン質量分析法 (SIMS) (半導体表面の測定技術 1.概要)
- Si(111)7×7表面の熱酸化初期過程
- 30a-H-2 O/Si(111)表面の電子状態とSTM(II)
- 28a-Y-4 Si(111)酸化初期表面のSTM/STSに関する理論
- Si単電子トランジスタの電圧利得と抵抗負荷型擬似nMOSインバータの性能解析
- Si単電子トランジスタの電圧利得と抵抗負荷型擬似nMOSインバータの性能解析
- シリコン相補型単電子インバーター : V-PADOX法による作製とその特性評価
- 層間絶縁膜がMOSFETの信頼性に与える影響 : ホットキャリア耐性と層間絶縁膜との関係
- Siナノデバイスにおける構造サイズ揺らぎの定量評価
- SIMOX基板におけるSi/SiO_2界面のモホロジー
- パターン依存酸化(PADOX)法を用いて製作したSi SETにおけるポテンシャルプロファイル形成機構
- 31a-ZB-2 Theory of Activated Conduction in a Si Single-Electron Transistor
- 31a-ZB-2 Theory of Activated Conduction in a Si Single-Electron Transistor
- SC-9-5 シリコン系量子効果デバイスと単電子デバイスの進展
- ECRプラズマ酸化によるナノパタン反転法とSi量子細線加工
- ECRプラズマ酸化によるナノパタン反転法とSi量子細線加工