Si単電子トランジスタの電圧利得と抵抗負荷型擬似nMOSインバータの性能解析
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概要
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電圧利得は、単電子トランジスタ(SET)の回路応用上、重要なパラメータであるにも拘わらず、実験に基づいた検討は少ない。SETの素子構造上、ゲート容量とドレイン容量の比で決まる電圧利得を大きくすることが難しいという問題点がある。本論文では、パターン依存酸化法により作製したSi-SETの構造因子(Si細線長及びゲート酸化膜厚)と電圧利得の関係を系統的に調べ、利得改善への指針を示す。また、実測したSETの電流-電圧特性を用い、抵抗負荷型擬似nMOSインバータ回路の動作シミュレーションを行った。電圧利得、応答時間、消費電力及び出力振幅などの性能とそれらの相関について解析及び議論を行う。
- 2000-02-09
著者
-
藤原 聡
Ntt物性科学基礎研究所
-
高橋 庸夫
NTT物性基礎研
-
村瀬 克実
NTT物性科学基礎研究所
-
高橋 庸夫
北海道大学情報科学研究科
-
堀越 佳治
早稲田大学理工学部
-
劉 冠廷
早稲田大学大学院電気工学専攻
-
堀越 佳治
早稲田大学大学院電気工学専攻
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