単電子トランジスタとMOSトフンジスタを組み合わせた多値論理ならびに記憶回路
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概要
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単電子トランジスタ(SET)とMOSFETを組み合わせ、ユニバーサル リテラルゲートや量子化器などの多値論理基本回路を構成すること考案した。シリコンのパタン依存酸化により作製したSETと、同一ウエハ上に形成したMOSFETを用いて、これら基本回路の動作を確認した。スタティック型多値記憶回路、アナログ・デジタル変換器、多値加算器などへの応用についても考察を加えた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-01-23
著者
-
猪川 洋
静岡大学電子工学研究所
-
藤原 聡
日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研究所
-
高橋 庸夫
北大
-
猪川 洋
日本電信電話(株)lsi研究所
-
高橋 庸夫
日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所
-
高橋 庸夫
北海道大学 大学院情報科学研究科
-
高橋 庸夫
北海道大学情報科学研究科
-
猪川 洋
静岡大学 電子工学研究所
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