表面プラズモンを利用したSOIフォトダイオードの高性能・高機能化(ナノフォトニクス・プラズモニクスおよびイメージセンサ一般)
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概要
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絶縁膜上のシリコン(SOI)中に形成されたpn接合フォトダイオードに表面プラズモン・アンテナを付加して高性能・高機能化を図った例を紹介する。厚さ100nmのシリコンの場合には、外部量子効率を1桁程度向上させることができる。アンテナは波長選択性、偏波選択性や入射角依存性を有し、ピーク波長や偏光角はレイアウト設計のみで変更できるため、異なる特性を有する多種類のフォトダイードを1チップに集積することも可能である。SOIを利用した大規模集積回路(LSI)の発展に伴い、本フォトダイオードの利用も広がって行くことが期待される。
- 2012-11-14
著者
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猪川 洋
静岡大学電子工学研究所
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佐藤 弘明
静岡大学電子工学研究所
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佐藤 弘明
静岡大学 電子工学研究所
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猪川 洋
静岡大学 電子工学研究所
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川久保 謙
静岡大学電子工学研究所
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小野 篤史
静岡大学電子工学研究所
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