単電子トランジスタとMOSトランジスタを組み合わせた多値論理ならびに記憶回路
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
単電子トランジスタ(SET)とMOSFETを組み合わせ、ユニバーサル リテラルゲートや量子化器などの多値論理基本回路を構成すること考案した。シリコンのパタン依存酸化により作製したSETと、同一ウエハ上に形成したMOSFETを用いて、これら基本回路の動作を確認した。スタティック型多値記憶回路、アナログ・デジタ変換器、多値加算器などへの応用についても考察を加えた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-01-23
著者
-
藤原 聡
Ntt物性科学基礎研究所
-
猪川 洋
静岡大学電子工学研究所
-
藤原 聡
日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研究所
-
高橋 庸夫
北大
-
猪川 洋
日本電信電話(株)lsi研究所
-
高橋 庸夫
日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所
-
高橋 庸夫
北海道大学 大学院情報科学研究科
-
高橋 庸夫
北海道大学情報科学研究科
-
猪川 洋
静岡大学 電子工学研究所
関連論文
- 平成20年度リフレッシュ理科教室開催報告-サイエンスオリエンテーリング2008 in 札幌- : 北海道支部・北海道大学会場
- 磁束と電荷を結ぶ新しい機能デバイスの開拓 : 電気回路のための第4の基本素子とは(機能ナノデバイス及び関連技術)
- 25aYG-5 水素終端極薄Si(111)ナノキャパシタの電気特性の第一原理計算 : Si層の有効誘電率(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- CP-1-1 新探求素子(Emerging Research Device)および単電子デバイスの研究動向(CP-1.量子およびナノデバイスロードマップ,パネルセッション,ソサイエティ企画)
- 28aTX-7 ダブルゲートSi MOSFET中の電子・正孔移動度とSi/SiO_2界面状態(28aTX 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- マンガンをイオン注入したSOI層の磁気特性(機能ナノデバイス及び関連技術)
- Si細線に作製したダブルドット単電子トランジスタの特性(機能ナノデバイス及び関連技術)
- 23pXA-13 水素終端極薄Si(111)ナノキャパシタの電気特性の第一原理計算 : 膜厚の効果(23pXA 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 20aYK-8 SiO_2/(100)Si/SiO_2量子井戸に形成される二次元正孔系の磁気抵抗の閉じ込めポテンシャル依存性(20aYK 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- ナノメータMOSFETにおける容量パラメータの直接測定
- ナノMOSFETを利用した単一電子・確率的情報処理回路 : 単一電子のランダムな振る舞いの検出と制御(機能ナノデバイスとおよび関連技術)
- Siナノドットアレイを用いた2出力単電子デバイスの半加算器動作(機能ナノデバイスとおよび関連技術)
- 22pPSA-73 水素終端Si(111)単二重層ナノキャパシタの電気特性の第一原理計算(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- シリコン・ナノワイヤーMOSFETを利用した室温動作可能な単一電子デバイス(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
- 19pRC-3 SiO_2/Si/SiO_2量子井戸に閉じ込められた二次元電子系における電気抵抗の温度依存性(量子細線・量子井戸,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- Siナノドットアレイを用いた多入力単電子デバイス(量子ナノと情報処理機能,量子効果デバイス及び関連技術)
- 第51回応用物理学関係連合講演会(2004年)
- 単電子デバイス用Siナノ構造の酸化
- シリコン技術
- ナノビジョンサイエンス-画像技術の新展開-, 三村秀典,原和彦,川人祥二,青木徹,廣本宣久(共著), コロナ社, 2009-04, A5判, 定価(本体3,400円+税)
- CT-1-7 単電子デバイス(CT-1.CMOSを越える革新デバイスの現状と展望,チュートリアル講演,ソサイエティ企画)
- パーマロイ薄膜における磁化リップルと磁気抵抗効果(薄膜)
- MOSFETを利用した室温での単一電子転送・検出とその応用 : SOIを用いた素子作製と特性評価(単電子/単光子検出とマニピュレーション)
- 未来を拓く先端技術 シリコン単電子デバイス集積化の最近の展望
- 20aYC-4 シリコン二次元電子系における占有率4の倍数に沿った抵抗のリッジ(量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- シリコン・ナノデバイスを用いた室温での単一電子転送と検出 : SOIを使った素子作製とその特性評価(量子効果デバイス及び関連技術)
- シリコン・ナノデバイスを用いた室温での単一電子転送と検出 : SOIを使った素子作製とその特性評価
- 単電子の転送と検出デバイス
- 単電子トランジスタとMOSトランジスタを組み合わせた多値論理ならびに記憶回路
- 単電子トランジスタとMOSトフンジスタを組み合わせた多値論理ならびに記憶回路
- 平均画像レベル,観視者の年齢,照明環境を考慮した液晶ディスプレイの輝度制御に関する研究(ヒューマンインフォメーション,ITS画像処理,映像メディア,一般)
- 究極の省電力デバイス--単電子トランジスタ (特集論文2 未来を創る物性基礎研究)
- Siナノドットアレイを用いた2出力単電子デバイスの半加算器動作(機能ナノデバイスとおよび関連技術)
- Siナノドットアレイを用いた多入力単電子デバイス(量子ナノと情報処理機能,量子効果デバイス及び関連技術)
- Si細線に作製したダブルドット単電子トランジスタの特性(機能ナノデバイス及び関連技術)
- 量子ドットアレイを用いた多機能デバイスの特性シミュレーション(多量量子ドットと機能性)
- 量子ドットアレイを用いた多機能デバイスの特性シミュレーション(多量量子ドットと機能性)
- 25aWR-12 シリコン二次元電子系における谷偏極状態での金属絶縁体相転移(25aWR 量子ホール効果,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
- マンガンをイオン注入したSOI層の磁気特性(機能ナノデバイス及び関連技術)
- シリコン・ナノワイヤーMOSFETを利用した室温動作可能な単一電子デバイス(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
- MOSFETを利用した室温での単一電子転送・検出とその応用 : SOIを用いた素子作製と特性評価(単電子/単光子検出とマニピュレーション)
- ダブルゲートMOSFETにおける谷と空間的サブバンドの制御 : シリコン量子井戸の電子状態(Functional Devices and Circuits, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
- ダブルゲートMOSFETにおける谷と空間的サブバンドの制御 : シリコン量子井戸の電子状態(Functional Devices and Circuits, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
- シリコン・ナノデバイスを用いた室温での単一電子転送と検出 : SOIを使った素子作製とその特性評価(量子効果デバイス及び関連技術)
- ナノMOSFETを利用した単一電子・確率的情報処理回路 : 単一電子のランダムな振る舞いの検出と制御(機能ナノデバイスとおよび関連技術)
- シリコン・ナノデバイスを用いた室温での単一電子転送と検出 : SOIを使った素子作製とその特性評価
- シリコンナノ構造でのパターン依存酸化現象の観察
- 酸化誘起歪みと量子サイズ効果に起因するSi SET動作機構の伝導方向依存性
- 酸化誘起歪みと量子サイズ効果に起因するSi SET動作機構の伝導方向依存性
- Si単電子トランジスタの電圧利得と抵抗負荷型擬似nMOSインバータの性能解析
- Si単電子トランジスタの電圧利得と抵抗負荷型擬似nMOSインバータの性能解析
- 単一電子を利用した確率共鳴 (シリコン材料・デバイス)
- 単一電子を利用した確率共鳴 (電子デバイス)
- パーマロイ薄膜の磁気抵抗効果と磁区のその場観察
- 単電子デバイス-1個の電子で動作する究極の電子デバイス-
- Feナノ微粒子系におけるコンダクタンス量子化のTEM内その場計測
- 27pXC-8 TEMを用いたナノ微粒子の伝導特性評価に関する研究(結晶成長・微粒子,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 磁束と電荷を結ぶ新しい機能デバイスの開拓 : 電気回路のための第4の基本素子とは(機能ナノデバイス及び関連技術)
- 単電子デバイスを用いたSi集積回路
- 新原理デバイスの今後の展開 : Beyond CMOS の可能性
- 次世代LSIデバイス・プロセス技術の課題と展望 : 特集号によせて
- 単電子デバイス--たった1個の電子で動作する究極のデバイス (特集 物性基礎研究が拓く未来--量子情報処理の実現を目指して)
- 単電子デバイス用Siナノ構造の酸化
- 工学部における2007年度FD
- SiO_2中の拡散に与えるSi/SiO_2界面の影響
- 13pYB-6 シリコン二次元電子系のランダウ準位交差における抵抗スパイク(量子ホール効果, 領域 4)
- 28pYG-1 量子ホール領域におけるSIMOX MOSFETの温度と磁場依存性(量子ホール効果(二層系・多体効果))(領域4)
- 私とJJAP : 期待すること, 私にできること
- 21pTL-6 SIMOX MOSFET 中量子井戸の二次元電子系 : 谷分離と二層系
- 機械的プラナリゼーション加工の加工終点検出技術の現状と今後の課題(機械的プラナリゼーション技術)
- Si酸化膜中におけるB拡散とSi自己拡散の相関(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- Si細線における単一電荷の検出と操作
- シリコン細線MOS構造における素電荷の検出と転送
- SC-9-5 シリコン系量子効果デバイスと単電子デバイスの進展
- シリコン細線MOS構造における素電荷の検出と転送
- 単一電子を利用した確率共鳴(機能ナノデバイス及び関連技術)
- 単一電子を利用した確率共鳴(機能ナノデバイス及び関連技術)
- Si単電子トランジスタにおける光照射による単一キャリアトラップ生成と電気伝導特性(機能ナノデバイス及び関連技術)
- Si単電子トランジスタにおける光照射による単一キャリアトラップ生成と電気伝導特性(機能ナノデバイス及び関連技術)
- 表面プラズモンを利用した光検出器の性能向上
- 単電子CCDで電子1個を操作--その意味と意義とは?
- シリコン紬線MOS構造における素電荷の検出と転送
- MgF_2/Feナノドット/MgF_2薄膜における電気伝導特性(機能ナノデバイス及び関連技術)
- MgF_2/Feナノドット/MgF_2薄膜における電気伝導特性(機能ナノデバイス及び関連技術)
- パターン依存酸化法を用いたSi単電子トランジスタの高周波特性(機能ナノデバイス及び関連技術)
- パターン依存酸化法を用いたSi単電子トランジスタの高周波特性(機能ナノデバイス及び関連技術)
- 急峻な電流特性のトランジスタを利用した確率共鳴(機能ナノデバイス及び関連技術)
- 急峻な電流特性のトランジスタを利用した確率共鳴(機能ナノデバイス及び関連技術)
- シリコン量子井戸におけるトンネル電流注入発光(機能ナノデバイス及び関連技術)
- シリコン量子井戸におけるトンネル電流注入発光(機能ナノデバイス及び関連技術)
- 急峻な電流特性のトランジスタを利用した確率共鳴
- 急峻な電流特性のトランジスタを利用した確率共鳴
- パターン依存酸化法を用いたSi単電子トランジスタの高周波特性
- シリコン量子井戸におけるトンネル電流注入発光
- シリコン量子井戸におけるトンネル電流注入発光
- パターン依存酸化法を用いたSi単電子トランジスタの高周波特性
- 表面プラズモンを利用したSOIフォトダイオードの高性能・高機能化(ナノフォトニクス・プラズモニクスおよびイメージセンサ一般)
- 二重量子ドットSi単電子トランジスタにおける電子数変化による特性評価(機能ナノデバイス及び関連技術)
- 二重量子ドットSi単電子トランジスタにおける電子数変化による特性評価(機能ナノデバイス及び関連技術)
- 表面プラズモンを利用したSOIフォトダイオードの高性能・高機能化