シリコン・ナノワイヤーMOSFETを利用した室温動作可能な単一電子デバイス(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
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概要
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シリコンMOSFETを利用した単一電子転送・検出を行なうデバイスを作製した. MOSFETゲートでチャネルのエネルギーバリアを調整することで,蓄積ノードに転送する電子数を制御する.転送された電子は高感度電荷計を利用して単一電子レベルで検出される.これらの転送・検出機能を応用し,デジタル・アナログ変換回路,メモリ回路,赤外センサーを実現した.
- 2007-06-18
著者
-
藤原 聡
Ntt物性科学基礎研究所
-
小野 行徳
NTT物性科学基礎研究所
-
高橋 庸夫
北海道大学大学院情報科学研究科
-
西口 克彦
NTT物性科学基礎研究所
-
猪川 洋
静岡大学電子工学研究所
-
西口 克彦
日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研究所
-
高橋 庸夫
北大
-
高橋 庸夫
東北大・工
-
高橋 庸夫
北海道大学 大学院情報科学研究科
-
高橋 庸夫
日本確信電話(株)ntt物性科学基礎研究所
-
高橋 庸夫
北海道大学情報科学研究科
-
猪川 洋
静岡大学 電子工学研究所
-
小野 行徳
Ntt
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