MgF_2/Feナノドット/MgF_2薄膜における電気伝導特性(機能ナノデバイス及び関連技術)
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概要
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表面清浄化に注意して準備したSiO_2/Si基板上に,室温の交互蒸着法によりMgF_2/Feナノドット/MgF_2グラニュラー膜を作成し,基本的電気特性評価を行った.膜の電気伝導はパーコレーション膜厚(〜5nm)以下でトンネル伝導であった.Feナノドットサイズは3〜5nm程度であると考えられる.約2nmの膜厚の試料に対して,室温で8.6%,4.6Kで15.0%のトンネル磁気抵抗(TMR)効果が得られた.TMR比はバイアス電圧の増加に伴いいったん増加し,その後減少に転じた.最大のTMR比を与える電圧値は低温において低電圧側に移動し,詳細は不明であるものの,単電子伝導の寄与が期待される.
- 2012-01-31
著者
-
有田 正志
北海道大学大学院情報科学研究科
-
高橋 庸夫
北海道大学大学院情報科学研究科
-
高橋 庸夫
東北大・工
-
高橋 庸夫
北海道大学 大学院情報科学研究科
-
高橋 庸夫
日本確信電話(株)ntt物性科学基礎研究所
-
浜田 弘一
北大 工
-
浜田 弘一
北海道大学エネルギー変換マテリアル研究センター
-
高橋 庸夫
北海道大学情報科学研究科
-
石川 琢磨
北海道大学大学院情報科学研究科
-
佐藤 栄太
北海道大学工学部
-
佐藤 栄太
北海道大学 工学部
-
石川 琢磨
北海道大学大学院 情報科学研究科
-
有田 正志
北海道大学大学院 情報科学研究科
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