13pYB-6 シリコン二次元電子系のランダウ準位交差における抵抗スパイク(量子ホール効果, 領域 4)
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概要
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- 2004-08-25
著者
-
平山 祥郎
NTT物性基礎研
-
藤原 聡
Ntt物性科学基礎研究所
-
高品 圭
NTT物性科学基礎研究所
-
平山 祥郎
東北大理:erato-jst
-
高橋 庸夫
NTT物性基礎研
-
高橋 庸夫
北大
-
高橋 庸夫
北海道大学 大学院情報科学研究科
-
高品 圭
バース大物理
-
高橋 庸夫
北海道大学情報科学研究科
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