18aTG-6 MBE成長したInAs(111)A表面におけるドナー型欠陥と二次元電子蓄積層(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
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概要
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- 社団法人日本物理学会の論文
- 2007-02-28
著者
-
藤澤 利正
NTT物性基礎研
-
平山 祥郎
NTT物性基礎研
-
蟹澤 聖
NTT物性科学基礎研究所
-
藤澤 利正
東工大極低温セ
-
ペロ シモン
Ntt物性基礎研:lpn-cnrs
-
Perraud Simon
NTT物性基礎研
-
蟹澤 聖
Ntt物性基礎研
-
藤沢 利正
Ntt 基礎研
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