27pXC-9 InGaAs/GaAs(111)A表面量子井戸中の局所状態密度分布の低温STM観察(27pXC 領域4,領域5合同 量子井戸・超格子,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))

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概要

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• 社団法人日本物理学会の論文
• 2006-03-04

著者

• 平山 祥郎

  NTT物性基礎研

• 蟹澤 聖

  NTT物性科学基礎研究所

• 蟹澤 聖

  Ntt物性基礎研

• Perraud Simon

  LPN-CNRS

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