Si単電子トランジスタにおける光照射による単一キャリアトラップ生成と電気伝導特性(機能ナノデバイス及び関連技術)

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概要

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• 強い縦方向電界を印加した単電子トランジスタ(SET)では、光照射により単電子島で単一電子・正孔対が生成・消滅することで電気伝導特性が変化することが知られている.われわれはシリコンのSETにおいて,基板縦方向電界無しに光照射のみで電気伝導特性が変化することを見出した.これは光照射により励起された正孔1個が単電子島周囲にあるSiO_2にトラップされ,この正の電荷のために新たな電子が流れることが可能になったためである.トラップされた正孔の保持時間はゲート電圧の大きさにより異なることがわかった.

• 2011-02-16

著者

• 藤原 聡

  Ntt物性科学基礎研究所

• 有田 正志

  北海道大学大学院情報科学研究科

• 高橋 庸夫

  北海道大学大学院情報科学研究科

• 高橋 庸夫

  東北大・工

• 高橋 庸夫

  北海道大学 大学院情報科学研究科

• 高橋 庸夫

  日本確信電話(株)ntt物性科学基礎研究所

• 高橋 庸夫

  北海道大学情報科学研究科

• 加藤 勇樹

  北海道大学院情報科学研究科

• 篠原 迪人

  北海道大学院情報科学研究科

• 三上 圭

  北海道大学院情報科学研究科

• 篠原 迪人

  北海道大学大学院情報科学研究科

• 有田 正志

  北海道大学大学院 情報科学研究科

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