ダブルゲートMOSFETにおける谷と空間的サブバンドの制御 : シリコン量子井戸の電子状態(Functional Devices and Circuits, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
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概要
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小型化、量子情報処理の発展に伴いトランジスタのような単純で基礎的なデバイスでも量子効果の役割が重要になってくる。本論文では、界面を二つもつSOI-MOSFETにおいて、膜の薄さ、すなわち空間的な閉じ込めによる量子効果が、コンダクタンスにどう現れるかを明らかにする。さらに、SOI-MOSFETを利用することによって谷自由度の新たな制御性が可能になることを示す。谷縮退は完全に解くことが可能であり、結果的に生じるサブバンド構造がコンダクタンスに現れる。低温、磁場中測定によって結果を確認した。
- 2005-06-21
著者
-
藤原 聡
Ntt物性科学基礎研究所
-
小野 行徳
NTT物性科学基礎研究所
-
藤原 聡
日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研究所
-
小野 行徳
日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研究所
-
平山 祥郎
東北大理:erato-jst
-
高橋 庸夫
日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所
-
高橋 庸夫
北海道大学 大学院情報科学研究科
-
高品 圭
日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所
-
平山 祥郎
日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所
-
高品 圭
バース大物理
-
高橋 庸夫
北海道大学情報科学研究科
-
小野 行徳
Ntt
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