Deterministicドープシリコンデバイスと量子輸送現象(機能ナノデバイス及び関連技術)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
単一イオン注入法によって、ドーパントが"deterministic(決定論的)"に注入されたシリコンデバイスを試作し、量子輸送特性を調査した。リンドナーを2個、6個、10個をチャネルに沿って1次元に配列させたところ、個数の増加に伴い2つの特徴的な輸送特性を観測した。1つは1個のドナーが有する2つの準位D^0とD^-を介する単一電子トンネリングに起因する特性、もう1つはドナー間カップリングによるHubbardバンドの形成に起因する特性である。ドーパント添加型デバイスの極限形として、1個のドーパントが制御されたデバイス開発に"deterministic"単一イオン注入法は効果的手段となることを実証した。
- 2012-01-31
著者
-
小野 行徳
NTT物性科学基礎研究所
-
品田 賢宏
早稲田大学工学部
-
谷井 孝至
早大・理工・電生
-
堀 匡寛
早稲田大学
-
谷井 孝至
早稲田大学
-
品田 賢宏
早稲田大学
-
小野 行徳
Ntt
-
GUAGLIARDO Filipo
ミラノ工科大学
-
熊谷 国憲
早稲田大学理工学研究科
-
PRATI Enrico
イタリア学術研究会議
-
堀 匡寛
早稲田大学理工学研究科
関連論文
- 28aTX-7 ダブルゲートSi MOSFET中の電子・正孔移動度とSi/SiO_2界面状態(28aTX 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- マンガンをイオン注入したSOI層の磁気特性(機能ナノデバイス及び関連技術)
- 20aYK-8 SiO_2/(100)Si/SiO_2量子井戸に形成される二次元正孔系の磁気抵抗の閉じ込めポテンシャル依存性(20aYK 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- ナノメータMOSFETにおける容量パラメータの直接測定
- Siナノドットアレイを用いた2出力単電子デバイスの半加算器動作(機能ナノデバイスとおよび関連技術)
- シリコン・ナノワイヤーMOSFETを利用した室温動作可能な単一電子デバイス(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
- Siナノドットアレイを用いた多入力単電子デバイス(量子ナノと情報処理機能,量子効果デバイス及び関連技術)
- シリコン相補型単電子インバーター : V-PADOX法による作製とその特性評価
- 周期的な不純物原子配列を有する半導体の電気伝導シミュレーション(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- MOSFETを利用した室温での単一電子転送・検出とその応用 : SOIを用いた素子作製と特性評価(単電子/単光子検出とマニピュレーション)
- 20aYC-4 シリコン二次元電子系における占有率4の倍数に沿った抵抗のリッジ(量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- シリコン・ナノデバイスを用いた室温での単一電子転送と検出 : SOIを使った素子作製とその特性評価(量子効果デバイス及び関連技術)
- シリコン・ナノデバイスを用いた室温での単一電子転送と検出 : SOIを使った素子作製とその特性評価
- 単電子の転送と検出デバイス
- ナノ開口基板を用いたシャペロニンGroELの1分子機能解析
- 1P088 ナノ開口を用いた弱い生体分子間相互作用の1分子検出(蛋白質 E) 計測・解析の方法論)
- 周期的な不純物原子配列を有する半導体の電気伝導シミュレーション(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- シングルイオン注入法を用いたナノスケール表面改質
- 25aP-5 ナノスケール一次元伝導体の伝導特性
- 24pYM^ / 24pYM-9 微細化電荷密度波の形成とその伝導特性
- 27a-YK-8 イオンビームによるCDWの一次元化とその伝導機構
- Siナノドットアレイを用いた2出力単電子デバイスの半加算器動作(機能ナノデバイスとおよび関連技術)
- Siナノドットアレイを用いた多入力単電子デバイス(量子ナノと情報処理機能,量子効果デバイス及び関連技術)
- 25aWR-12 シリコン二次元電子系における谷偏極状態での金属絶縁体相転移(25aWR 量子ホール効果,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
- マンガンをイオン注入したSOI層の磁気特性(機能ナノデバイス及び関連技術)
- シリコン・ナノワイヤーMOSFETを利用した室温動作可能な単一電子デバイス(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
- MOSFETを利用した室温での単一電子転送・検出とその応用 : SOIを用いた素子作製と特性評価(単電子/単光子検出とマニピュレーション)
- ダブルゲートMOSFETにおける谷と空間的サブバンドの制御 : シリコン量子井戸の電子状態(Functional Devices and Circuits, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
- ダブルゲートMOSFETにおける谷と空間的サブバンドの制御 : シリコン量子井戸の電子状態(Functional Devices and Circuits, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
- シリコン・ナノデバイスを用いた室温での単一電子転送と検出 : SOIを使った素子作製とその特性評価(量子効果デバイス及び関連技術)
- シリコン・ナノデバイスを用いた室温での単一電子転送と検出 : SOIを使った素子作製とその特性評価
- 極薄SIMOX-Si層エッジからのSiO_2障壁を介した電子トンネル
- 第5回表面科学とナノテクノロジーに関する国際シンポジウム(ISSS-5)報告
- シリコン相補型単電子インバーター : V-PADOX法による作製とその特性評価
- シリコンナノ構造配列の作製とバイオアプリケーション (特集 分子レベル制御による高機能表界面の構築)
- SC-9-5 シリコン系量子効果デバイスと単電子デバイスの進展
- 局所変形角と相対変位を測定可能な構造ヘルスモニタリング用層間変位センサの開発
- 単一原子ドーピング法と離散的ドーパントデバイス評価
- 711 局所変形角と相対変位を測定可能な構造ヘルスモニタリング用層間変位センサの開発(OS7-3 非破壊評価と構造モニタリング)
- 単電子パストランジスタ論理を用いた半加算器動作の実証
- 単電子パストランジスタ論理を用いた半加算器動作の実証
- シリコン系量子効果デバイスと単電子デバイス (特集:Siナノデバイス)
- 招待講演 Deterministicドープシリコンデバイスと量子輸送現象 (電子デバイス)
- 招待講演 Deterministicドープシリコンデバイスと量子輸送現象 (シリコン材料・デバイス)
- Deterministicドープシリコンデバイスと量子輸送現象(機能ナノデバイス及び関連技術)
- Deterministicドープシリコンデバイスと量子輸送現象(機能ナノデバイス及び関連技術)
- シリコン単電子デバイス (特集 ナノ機能性材料)
- イオンビーム法による細胞活性向上
- 構造ヘルスモニタリングのための５自由度層間変位センサの開発
- 21424 非接触型センサを用いた建物の層間変位計測システム : その6 5自由度層間変位センサの開発(計測・診断システム開発,構造II)
- Deterministic ドープシリコンデバイスと量子輸送現象
- Deterministic ドープシリコンデバイスと量子輸送現象
- 21056 非接触型センサを用いた建物の層間変位計測システム : その9 E-defense実験データによる検証(センシング技術,2013年度日本建築学会大会(北海道)学術講演会・建築デザイン発表会)
- 152 構造ヘルスモニタリングのための5自由度層間変位センサの分解能に関する検討
- 152 構造ヘルスモニタリングのための5自由度層間変位センサの分解能に関する検討(構造物の損傷検知,OS-11 システムのモニタリングと診断,総合テーマ:「部門創設25周年、新たなる躍動」)