新原理デバイスの今後の展開 : Beyond CMOS の可能性
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人 電気学会の論文
- 2008-03-01
著者
-
高橋 庸夫
北海道大学大学院情報科学研究科
-
高橋 庸夫
北大
-
高橋 庸夫
東北大・工
-
高橋 庸夫
北海道大学 大学院情報科学研究科
-
高橋 庸夫
日本確信電話(株)ntt物性科学基礎研究所
-
高橋 庸夫
北海道大学情報科学研究科
関連論文
- 平成20年度リフレッシュ理科教室開催報告-サイエンスオリエンテーリング2008 in 札幌- : 北海道支部・北海道大学会場
- 磁束と電荷を結ぶ新しい機能デバイスの開拓 : 電気回路のための第4の基本素子とは(機能ナノデバイス及び関連技術)
- Si細線に作製したダブルドット単電子トランジスタの特性(機能ナノデバイス及び関連技術)
- Siナノドットアレイを用いた2出力単電子デバイスの半加算器動作(機能ナノデバイスとおよび関連技術)
- シリコン・ナノワイヤーMOSFETを利用した室温動作可能な単一電子デバイス(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
- Siナノドットアレイを用いた多入力単電子デバイス(量子ナノと情報処理機能,量子効果デバイス及び関連技術)
- 第51回応用物理学関係連合講演会(2004年)
- シリコン相補型単電子インバーター : V-PADOX法による作製とその特性評価
- 単電子デバイス用Siナノ構造の酸化
- シリコン技術
- パーマロイ薄膜における磁化リップルと磁気抵抗効果(薄膜)
- MOSFETを利用した室温での単一電子転送・検出とその応用 : SOIを用いた素子作製と特性評価(単電子/単光子検出とマニピュレーション)
- 20aYC-4 シリコン二次元電子系における占有率4の倍数に沿った抵抗のリッジ(量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- シリコン・ナノデバイスを用いた室温での単一電子転送と検出 : SOIを使った素子作製とその特性評価(量子効果デバイス及び関連技術)
- シリコン・ナノデバイスを用いた室温での単一電子転送と検出 : SOIを使った素子作製とその特性評価
- 単電子の転送と検出デバイス
- 単電子トランジスタとMOSトランジスタを組み合わせた多値論理ならびに記憶回路
- 単電子トランジスタとMOSトフンジスタを組み合わせた多値論理ならびに記憶回路
- 平均画像レベル,観視者の年齢,照明環境を考慮した液晶ディスプレイの輝度制御に関する研究(ヒューマンインフォメーション,ITS画像処理,映像メディア,一般)
- 6-4 TN液晶セルの解析(透過率と分子配向角の関係)
- 4U19 液晶材料の弾性定数の測定法
- 6-3 液晶表示素子の低温における応答性
- TNセルにおける屈折率異方性とセル厚の効果に関する理論解析
- TN液晶セルにおける屈折率異方性とセル厚の効果
- 2R16 TNセルの特性に及ぼす各種のパラメータの影響
- 2R07 TNセルの特性(第2報)
- TN液晶セルにおけるコレステリック液晶の効果
- 3S16 微量のコレステリック液晶を添加したTN液晶セルの特性
- 究極の省電力デバイス--単電子トランジスタ (特集論文2 未来を創る物性基礎研究)
- Siナノドットアレイを用いた2出力単電子デバイスの半加算器動作(機能ナノデバイスとおよび関連技術)
- Siナノドットアレイを用いた多入力単電子デバイス(量子ナノと情報処理機能,量子効果デバイス及び関連技術)
- Si細線に作製したダブルドット単電子トランジスタの特性(機能ナノデバイス及び関連技術)
- 量子ドットアレイを用いた多機能デバイスの特性シミュレーション(多量量子ドットと機能性)
- 量子ドットアレイを用いた多機能デバイスの特性シミュレーション(多量量子ドットと機能性)
- シリコン・ナノワイヤーMOSFETを利用した室温動作可能な単一電子デバイス(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
- MOSFETを利用した室温での単一電子転送・検出とその応用 : SOIを用いた素子作製と特性評価(単電子/単光子検出とマニピュレーション)
- ダブルゲートMOSFETにおける谷と空間的サブバンドの制御 : シリコン量子井戸の電子状態(Functional Devices and Circuits, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
- ダブルゲートMOSFETにおける谷と空間的サブバンドの制御 : シリコン量子井戸の電子状態(Functional Devices and Circuits, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
- シリコン・ナノデバイスを用いた室温での単一電子転送と検出 : SOIを使った素子作製とその特性評価(量子効果デバイス及び関連技術)
- シリコン・ナノデバイスを用いた室温での単一電子転送と検出 : SOIを使った素子作製とその特性評価
- シリコンナノ構造でのパターン依存酸化現象の観察
- 酸化誘起歪みと量子サイズ効果に起因するSi SET動作機構の伝導方向依存性
- 酸化誘起歪みと量子サイズ効果に起因するSi SET動作機構の伝導方向依存性
- 酸化誘起歪みと量子サイズ効果に起因するSi SET動作機構の伝導方向依存性
- パターン依存酸化(PADOX)法を用いて製作したSi SETにおけるポテンシャルプロファイル形成機構
- 極薄SIMOX-Si層エッジからのSiO_2障壁を介した電子トンネル
- Si単電子トランジスタの電圧利得と抵抗負荷型擬似nMOSインバータの性能解析
- Si単電子トランジスタの電圧利得と抵抗負荷型擬似nMOSインバータの性能解析
- パーマロイ薄膜の磁気抵抗効果と磁区のその場観察
- Feナノ微粒子系におけるコンダクタンス量子化のTEM内その場計測
- 27pXC-8 TEMを用いたナノ微粒子の伝導特性評価に関する研究(結晶成長・微粒子,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 磁束と電荷を結ぶ新しい機能デバイスの開拓 : 電気回路のための第4の基本素子とは(機能ナノデバイス及び関連技術)
- 単電子デバイスを用いたSi集積回路
- 新原理デバイスの今後の展開 : Beyond CMOS の可能性
- 次世代LSIデバイス・プロセス技術の課題と展望 : 特集号によせて
- 2-3 単電子トランジスタの将来展望 : 2. ナノエレクトロニクス(ナノテクノロジーの光とエレクトロニクスへの応用)
- 単電子デバイス--たった1個の電子で動作する究極のデバイス (特集 物性基礎研究が拓く未来--量子情報処理の実現を目指して)
- シリコン相補型単電子インバーター : V-PADOX法による作製とその特性評価
- 単電子デバイス用Siナノ構造の酸化
- 工学部における2007年度FD
- Siナノデバイスにおける構造サイズ揺らぎの定量評価
- SiO_2中の拡散に与えるSi/SiO_2界面の影響
- 13pYB-6 シリコン二次元電子系のランダウ準位交差における抵抗スパイク(量子ホール効果, 領域 4)
- 28pYG-1 量子ホール領域におけるSIMOX MOSFETの温度と磁場依存性(量子ホール効果(二層系・多体効果))(領域4)
- 21pTL-6 SIMOX MOSFET 中量子井戸の二次元電子系 : 谷分離と二層系
- パターン依存酸化(PADOX)法を用いて製作したSi SETにおけるポテンシャルプロファイル形成機構
- Si酸化膜中におけるB拡散とSi自己拡散の相関(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- Si細線における単一電荷の検出と操作
- シリコン細線MOS構造における素電荷の検出と転送
- SC-9-5 シリコン系量子効果デバイスと単電子デバイスの進展
- シリコン細線MOS構造における素電荷の検出と転送
- Si単電子トランジスタにおける光照射による単一キャリアトラップ生成と電気伝導特性(機能ナノデバイス及び関連技術)
- Si単電子トランジスタにおける光照射による単一キャリアトラップ生成と電気伝導特性(機能ナノデバイス及び関連技術)
- 単電子CCDで電子1個を操作--その意味と意義とは?
- シリコン紬線MOS構造における素電荷の検出と転送
- 単電子パストランジスタ論理を用いた半加算器動作の実証
- 単電子パストランジスタ論理を用いた半加算器動作の実証
- シリコン系量子効果デバイスと単電子デバイス (特集:Siナノデバイス)
- MgF_2/Feナノドット/MgF_2薄膜における電気伝導特性(機能ナノデバイス及び関連技術)
- MgF_2/Feナノドット/MgF_2薄膜における電気伝導特性(機能ナノデバイス及び関連技術)
- パターン依存酸化法を用いたSi単電子トランジスタの高周波特性(機能ナノデバイス及び関連技術)
- パターン依存酸化法を用いたSi単電子トランジスタの高周波特性(機能ナノデバイス及び関連技術)
- パターン依存酸化法を用いたSi単電子トランジスタの高周波特性
- MgF_2/Feナノドット/MgF_2薄膜における電気伝導特性
- MgF_2/Feナノドット/MgF_2薄膜における電気伝導特性
- パターン依存酸化法を用いたSi単電子トランジスタの高周波特性
- 二重量子ドットSi単電子トランジスタにおける電子数変化による特性評価(機能ナノデバイス及び関連技術)
- 二重量子ドットSi単電子トランジスタにおける電子数変化による特性評価(機能ナノデバイス及び関連技術)