ECRプラズマ酸化によるナノパタン反転法とSi量子細線加工
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概要
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ECRプラズマ酸化パタン反転法を開発し、電子ビームリソグラフィを用いてSiナノ加工へ適用した。この方法では、まずレジストパタンマスクにECR酸素プラズマを照射して、2〜3nm程度の極薄プラズマ酸化膜をSi表面に形成する。レジスト除去後、プラズマ酸化膜をマスクに、(A)高選択比を持つCl_2をベースしたECRプラズマエッチング、または(B)異方性を有するKOHエッチングによりSiをエッチングする2種類のプロセスを提案し、ナノパタン形成特性を評価した。さらに本パタン反転法を用いて、SIMOX基板上に10nm級のSi量子細線やドットパタンを得た。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-04-21
著者
-
村瀬 克実
NTT物性科学基礎研究所
-
永瀬 雅夫
Ntt物性科学基礎研究所
-
生津 英夫
日本電信電話株式会社 NTT物性科学基礎研究所
-
栗原 健二
NTTアドバンステクノロジ株式会社
-
村瀬 克実
NTT LSI研究所
-
永瀬 雅夫
NTT LSI研究所
-
生津 英夫
NTT LSI研究所
-
栗原 健二
NTT LSI研究所
-
永瀬 雅夫
Ntt 物性科学基礎研
-
生津 英夫
Ntt 物性科学基礎研
-
岩立 和己
Ntt Lsi研究所
-
栗原 健二
Ntt Lsi研
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