23pZN-7 Siナノ構造の酸化 : 熱酸化の自己停止
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
-
シリコンカーバイド上のグラフェン成長 (特集 材料基礎研究最前線)
-
単結晶グラフェン基板の創製に向けた SiC 上エピタキシャル少数層グラフェンの層数解析
-
27pYE-4 SiC(0001)上のC原子の吸着構造とその安定性(グラフェン電子物性(形成と評価),領域7,分子性固体・有機導体)
-
マンガンをイオン注入したSOI層の磁気特性(機能ナノデバイス及び関連技術)
-
電子線リソグラフィー法による薄膜型微細加工酸化物触媒の調製とそのキャラクタリゼーション
-
24aE-8 ナノスケール磁性ドットアレイの作製と磁気特性
-
シリコン相補型単電子インバーター : V-PADOX法による作製とその特性評価
-
単電子デバイス用Siナノ構造の酸化
-
SiC上エピタキシャルグラフェン成長の理論検討(グラフェンの成長と応用)
-
単結晶グラフェン基板の創製に向けたSiC上エピタキシャル少数層グラフェンの層数解析
-
エピタキシャル・グラフェンの走査プローブ顕微鏡による物性評価
-
25pWS-4 SiC(0001)表面上のエピタキシャルグラフェン島の原子構造と磁気電気効果(25pWS 領域9,領域7合同 グラフェン,領域9(表面・界面,結晶成長))
-
マンガンをイオン注入したSOI層の磁気特性(機能ナノデバイス及び関連技術)
-
Siプローブを用いたμ-Pseudo-MOS法によるSOI薄膜層評価の基礎検討(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
-
Siプローブを用いたμ-Pseudo-MOS法によるSOI薄膜層評価の基礎検討(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
-
Siプローブを用いたμ-Pseudo-MOS法によるSOI薄膜層評価の基礎検討(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
-
シリコンナノ構造でのパターン依存酸化現象の観察
-
酸化誘起歪みと量子サイズ効果に起因するSi SET動作機構の伝導方向依存性
-
酸化誘起歪みと量子サイズ効果に起因するSi SET動作機構の伝導方向依存性
-
酸化誘起歪みと量子サイズ効果に起因するSi SET動作機構の伝導方向依存性
-
原子間力顕微鏡によるナノ構造計測
-
23pZN-7 Siナノ構造の酸化 : 熱酸化の自己停止
-
パターン依存酸化(PADOX)法を用いて製作したSi SETにおけるポテンシャルプロファイル形成機構
-
高温水素雰囲気中のSIM0X基板表面平坦化過程
-
シリコン相補型単電子インバーター : V-PADOX法による作製とその特性評価
-
単電子デバイス用Siナノ構造の酸化
-
Siナノデバイスにおける構造サイズ揺らぎの定量評価
-
SIMOX基板におけるSi/SiO_2界面のモホロジー
-
パターン依存酸化(PADOX)法を用いて製作したSi SETにおけるポテンシャルプロファイル形成機構
-
グラフェンのエレクトロニクスへの展開
-
走査プローブ顕微鏡を用いたレジストパターン評価
-
ECRプラズマ酸化によるナノパタン反転法とSi量子細線加工
-
ECRプラズマ酸化によるナノパタン反転法とSi量子細線加工
-
26aTA-3 SiC上グラフェンの表面増強ラマン散乱(26aTA 領域7,領域9合同 グラフェン(ラマン分光/端状態),領域7(分子性固体・有機導体))
-
22aTE-6 SiC上グラフェンの表面増強ラマン散乱II(22aTE 領域7,領域9合同 グラフェン(分光),領域7(分子性固体・有機導体))
-
22aTE-5 トレンチモデルを用いたSiC(0001)上グラフェン成長の検討(22aTE 領域7,領域9合同 グラフェン(分光),領域7(分子性固体・有機導体))
-
SiC(0001)面上エピタキシャルグラフェンの構造と形成(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
-
26pSB-10 SiC(0001)面上エピタキシャルグラフェン成長の初期過程(26pSB 領域7,領域9合同 グラフェン(分光),領域7(分子性固体・有機導体))
-
28aDK-7 SiC(0001)上0層グラフェン成長における表面形状の起源(グラフェン(分光・構造),領域7,領域4合同,領域7(分子性個体・有機導体))
もっと見る
閉じる
スポンサーリンク