高温水素雰囲気中のSIM0X基板表面平坦化過程
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概要
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SlMOX基板を1000-1100℃,0.5-2hの高温水素雰囲気中処理した後の表面モフォロジー変化を調べた.AFMによる評価では,高温水素処理後は(10O)SIMOX基板表面に原子レベルのステップ-テラス構造が出現し, また長周期のラフネス低減化も顕著であることがわかった.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-12-06
著者
-
永瀬 雅夫
NTT基礎研究所
-
永瀬 雅夫
Ntt物性科学基礎研究所
-
中嶋 定夫
Nttシステムエレクトロニクス研究所
-
国井 秦夫
NTT基礎研究所
-
泉 勝俊
NTTシステムエレクトロニクス研究所
-
国井 泰夫
NTTLSI研究所
-
国井 秦夫
Ntt物性科学基礎研究所
-
永瀬 雅夫
Ntt 物性科学基礎研
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