薄層SOI基板における酸化誘起積層欠陥の収縮過程
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
熱酸化したSIMOX基板中の積層欠陥の収縮過程を平面TEMと欠陥エッチングで調べた.900-1150℃の酸化では,SIMOX基板中の酸化誘起積層欠陥(OISF)はbulk Si中と同様に酸化時間の増大とともに連続的に成長する.しかし,より高温(>1150℃)ではbulk Siの場合よりもかなり低い温度でOISF収縮過程が起こることがわかった.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-12-06
著者
関連論文
- 高温水素雰囲気中のSIM0X基板表面平坦化過程
- 緩衝弗酸によるCVD酸化膜のエッチング機構
- 単結晶シリコン表面/界面の制御技術
- 薄層SOI基板における酸化誘起積層欠陥の収縮過程
- 絶縁膜のウェットエッチング