31a-ZB-2 Theory of Activated Conduction in a Si Single-Electron Transistor
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1999-03-15
著者
関連論文
- シリコン相補型単電子インバーター : V-PADOX法による作製とその特性評価
- パターン依存酸化(PADOX)法を用いて製作したSi SETにおけるポテンシャルプロファイル形成機構
- 極薄SIMOX-Si層エッジからのSiO_2障壁を介した電子トンネル
- Si-SETにおける孤立Si島への単電子メモリ効果
- Si-SETにおける孤立Si島への単電子メモリ効果
- Si単電子トランジスタの電圧利得と抵抗負荷型擬似nMOSインバータの性能解析
- Si単電子トランジスタの電圧利得と抵抗負荷型擬似nMOSインバータの性能解析
- シリコン相補型単電子インバーター : V-PADOX法による作製とその特性評価
- 層間絶縁膜がMOSFETの信頼性に与える影響 : ホットキャリア耐性と層間絶縁膜との関係
- Siナノデバイスにおける構造サイズ揺らぎの定量評価
- SIMOX基板におけるSi/SiO_2界面のモホロジー
- パターン依存酸化(PADOX)法を用いて製作したSi SETにおけるポテンシャルプロファイル形成機構
- 26pD-4 Si量子ドットのゼーマン効果
- 31a-ZB-2 Theory of Activated Conduction in a Si Single-Electron Transistor
- 31a-ZB-2 Theory of Activated Conduction in a Si Single-Electron Transistor
- 極薄SOI基板における酸化現象とその応用
- SC-9-5 シリコン系量子効果デバイスと単電子デバイスの進展
- ECRプラズマ酸化によるナノパタン反転法とSi量子細線加工
- ECRプラズマ酸化によるナノパタン反転法とSi量子細線加工