生津 英夫 | 日本電信電話株式会社 NTT物性科学基礎研究所

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概要

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• 日本電信電話株式会社 NTT物性科学基礎研究所の論文著者

関連著者

• 生津 英夫

  日本電信電話株式会社 NTT物性科学基礎研究所

• 生津 英夫

  Ntt 物性科学基礎研

• 永瀬 雅夫

  Ntt物性科学基礎研究所

• 栗原 健二

  NTTアドバンステクノロジ株式会社

• 永瀬 雅夫

  Ntt 物性科学基礎研

• 村瀬 克実

  NTT物性科学基礎研究所

• 生津 英夫

  NTT LSI研究所

• 高橋 庸夫

  北海道大学情報科学研究科

• 村瀬 克実

  NTT LSI研究所

• 永瀬 雅夫

  NTT LSI研究所

• 栗原 健二

  NTT LSI研究所

• 栗原 健二

  Ntt Lsi研

• 永瀬 雅夫

  NTT物性基礎研

• 小野 行徳

  NTT物性科学基礎研究所

• 山崎 謙治

  NTT物性科学基礎研究所

• 高橋 庸夫

  NTT物性基礎研

• 栗原 健二

  NTT物性科学基礎研

• 生津 英夫

  NTT物性科学基礎研究所

• 高橋 庸夫

  NTT LSI研究所

• 岩立 和己

  Ntt Lsi研究所

• 藤原 聡

  Ntt物性科学基礎研究所

• 藤原 聡

  日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研究所

• 町田 克之

  Nttシステムエレクトロニクス研究所

• 石山 俊彦

  Ntt Lsi研究所

• 高橋 庸夫

  北大

• 高橋 庸夫

  日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所

• 町田 克之

  NTT LSI研究所

• 永瀬 雅夫

  日本電信電話(株)ntt物性科学基礎研究所

• 高橋 庸夫

  北海道大学 大学院情報科学研究科

• 下山 展弘

  NTT LSI研究所

• 峯岸 一茂

  NTTエレクトロニクステクノロジー

• 牧野 孝裕

  NTT LSI研究所

• 高橋 庸夫

  Ntt基礎研

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著作論文

• シリコン相補型単電子インバーター : V-PADOX法による作製とその特性評価
• シリコンナノ構造でのパターン依存酸化現象の観察
• シリコン相補型単電子インバーター : V-PADOX法による作製とその特性評価
• 層間絶縁膜がMOSFETの信頼性に与える影響 : ホットキャリア耐性と層間絶縁膜との関係
• Siナノデバイスにおける構造サイズ揺らぎの定量評価
• ECRプラズマ酸化によるナノパタン反転法とSi量子細線加工
• ECRプラズマ酸化によるナノパタン反転法とSi量子細線加工

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