大谷 実 | 東大物性研
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概要
関連著者
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大谷 実
東大物性研:産総研計算科学
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大谷 実
東大物性研
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杉野 修
東大物性研
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鈴木 直
阪大基礎工
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大谷 実
産総研
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杉野 修
東京大学物性研究所
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鈴木 直
大阪大学 基礎工学部
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杉野 修
東大 物性研
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鈴木 直
関大システム理工
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草部 浩一
阪大基礎工
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森川 良忠
阪大院工
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濱田 幾太郎
東北大WPI-AIMR
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池庄司 民夫
(独)産業技術総合研究所計算科学研究部門
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南川 義久
阪大基礎工
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森川 良忠
大阪大学大学院工学研究科
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森川 良忠
阪大産研
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常行 真司
東大院理
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濱田 幾太郎
阪大産研
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赤木 和人
東北大WPI
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常行 真司
東京大学大学院理学系研究科物理学専攻
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吉本 芳英
東大物性研
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池庄司 民夫
産総研計算科学
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吉本 芳英
東京大学物性研究所
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赤木 和人
東大院理
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赤木 和人
東北大
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杉野 修
日電マイクロ研
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岡本 穏治
NEC基礎研
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滝本 佳成
東大物性研
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森川 良忠
JST-CREST
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常行 真司
東大物性研
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吉本 芳英
東大物性研:(現)鳥取大工応数
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中島 紳伍
東大物性研
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濱田 幾太郎
JST-CREST
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岡本 穏治
JST-CREST
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池庄司 民夫
JST-CREST
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滝本 佳成
東大物性研:産総研計算科学
著作論文
- 20pEL-10 周期セルを用いた電子状態計算の問題とその改善点 : 動的感受率の計算(20pEL 電子系(密度汎関数理論),領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
- 西谷滋人, 青木正人, 武藤俊介編, 『21世紀の格子欠陥研究に残された課題』, 吉岡書店,京都市, 2003, viii+198p., 25.5×18cm, 本体3,000円, [学部・大学院向,専門書]
- 18pRJ-7 電場中において電荷注入されたナノチューブの電子状態(ナノチューブ・電気伝導・理論,領域7,分子性固体・有機導体)
- 20aPS-36 有効遮蔽体法によるSi(001)表面の構造安定性計算(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 21pWH-7 水/白金界面における電気化学反応の第一原理シミュレーション(表面界面ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 24aYC-8 吸着子・表面間の軌道混成への電場の影響の第一原理計算による評価(24aYC 領域9,領域10,領域11合同招待講演,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23pYH-2 Pt(111)表面上での電極反応の第一原理シミュレーション(23pYH 表面界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23aYF-11 ゲートバイアスのかかったナノチューブにおける量子閉じ込めStark効果の可能性(23aYF ナノチューブ伝導,領域7(分子性固体・有機導体))
- 30aXH-1 電圧を印加した固体表面に対する電子状態計算手法の開発(30aXH 電子系(密度汎関数法),領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
- 30aTE-9 ゲートバイアスのかかったナノチューブの第一原理計算(30aTE ナノチューブ伝導,領域7(分子性固体・有機導体))
- 29pXJ-3 「不飽和炭化水素/Si(001)」吸着系への電場の影響の第一原理計算による評価(29pXJ 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 28pYB-6 電極表面の吸着水分子の構造 : 有効遮蔽体法による第一原理計算(28pYB 領域9シンポジウム:制限された場における水分子の科学,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25aTF-4 高圧下におけるバナジウムの格子振動及び電子格子相互作用の第一原理計算
- 25aWB-8 固液界面反応に対する第一原理計算手法の開発(表面・界面電子物性(理論・シミュレーション),領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 15pXE-13 フェルミレベル一定の第一原理計算 : 電圧印加表面への応用(表面界面電子物性, 領域 9)