柳澤 将 | 琉球大理

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概要

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• 柳澤 将

  琉球大理

• 稲岡 毅

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• 柳澤 将

  阪大院工

• 森川 良忠

  阪大工

• 大門 寛

  奈良先端大

• 森川 良忠

  阪大院工

• 服部 賢

  奈良先端大

• 稲葉 雄一

  奈良先端大・物質創成

• 安居 麻美

  奈良先端大・物質創成

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• 大門 寛

  奈良先端科学技術大学院大学

• 森川 良忠

  産業技術総合研究所計算科学研究部門 ナノ機能合成技術プロジェクト研究体

• 稲垣 耕司

  阪大院工

• 服部 賢

  奈良先端大物質

• 稲葉 雄一

  奈良先端大物質創成

• 安居 麻美

  奈良先端大物質創成

• 森州 良忠

  阪大産研

• 池田 隆司

  原研

• 森川 良忠

  大阪大学大学院工学研究科

• 大門 寛

  奈良先端大・物質創成

• 三村 大輔

  阪大院工

• 武田 篤哉

  阪大院工

• 田中 春奈

  琉球大理

• 服部 賢

  奈良先端大・物質創成

• 嘉手川 千央

  琉球大理

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著作論文

• 21pHA-4 第一原理計算によるSi(111)表面上N原子及びO原子吸着II(21pHA 表面界面構造(半導体),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24aCK-2 シリコンバンド構造の異方性と歪みの効果(24aCK 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 21aPSA-19 パラジウム触媒による鈴木・宮浦クロスカップリング反応の第一原理分子動力学シミュレーション(21aPSA 領域12ポスターセッション,領域12(ソフトマター物理,化学物理,生物物理))
• 18aFE-6 ゲルマニウムバンド構造に及ぼす歪みの効果(18aFE 表面界面電子物性・表面局所光学現象,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24pCC-8 第一原理計算によるSi(111)表面上N原子及びO原子吸着III(24pCC 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 27aXK-10 シリコンバンド構造の異方性と歪みの効果II(27aXK グラフェン・半導体,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 26pJA-11 シリコン価電子帯に及ぼす内部歪みの効果(表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))

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