稲垣 耕司 | 阪大院工
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概要
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Graduate School Of Engineering Osaka University
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Muttaqien Fandzi
阪大院工
著作論文
- 29a-PS-23 シリコンおよび金属表面の水酸基によるエッチング現象の第一原理計算(I)
- 22pTC-3 超高精度ミラーによる硬X線ナノビーム形成とその応用(領域10シンポジウム主題:X線・電子線による回折イメージングの最前線,領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 27pPSA-45 第一原理分子動力学シミュレーションを用いたα-アルミナ表面の化学反応によるエッチングプロセスの探索(領域9ポスターセッション)(領域9)
- 原子論的生産技術における電子状態シミュレーション
- 20pYD-12 第一原理分子動力学法による CVD エピタキシャル Si 成長初期過程の研究
- 24aPS-82 水素終端Si(001)2×1表面に過剰吸着したHの拡散(24aPS 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 28aPS-29 第一原理計算による色素増感型太陽電池の新色素設計手法のためのプログラム開発(領域11ポスターセッション,領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
- 30aPS-32 実空間差分法に基づく時間依存密度汎関数理論を用いた時間発展計算プログラムの開発と応用(30aPS 領域11ポスターセッション,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
- 23aPS-36 実空間差分法によるセルフコンシステント場における電子状態の時間発展計算(23aPS 領域11ポスターセッション,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
- 23aPS-33 Impulse-Response法によるナノ構造体の電子輸送シミュレーションIII(23aPS 領域11ポスターセッション,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
- 25pPSA-27 Impulse-Response法によるナノ構造体の電子輸送シミュレーションII(ポスターセッション,領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
- 25pPSA-38 時間依存密度汎関数理論による励起された電子状態の第一原理計算(ポスターセッション,領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
- 24aPS-25 Impulse-Response法によるナノ構造体の電子輸送シミュレーション(領域11ポスターセッション,領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
- 26pPSB-41 低速Hラジカル照射下におけるSi(001)2×1表面H被覆率の第一原理計算(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 29pPSB-25 第一原理分子動力学シミュレーションによる水素終端Si表面上へのSi成膜反応前駆体衝突時の反応解析(29pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24pPSA-1 大気圧プラズマCVDによるSiエピタキシャル成膜過程の解明 : 表面拡散に影響をおよぼす表面温度の解析(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 20aPS-46 水素ラジカルによる水素終端化 Si(001)2×1 表面からの水素引き抜き反応の運動エネルギーを保存した第一原理分子動力学シミュレーション
- 半無限表面の電子状態の計算とそれに基づく光反射率スペクトルの解析
- 量子力学の第一原理に基づく電子状態の計算 -Si光反射率スペクトルの面方位依存性の解析-
- 25pWD-6 積分方程式を用いた方法による原子架橋の電子状態計算
- 22pPSA-20 水素終端化Si(001)面と(111)面の反射率差スペクトルの第一原理計算による解析(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 26aYC-11 NH_4F処理したSi(111)表面の光学特性(26aYC 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 30aPS-12 表面構造を持つ水素終端化シリコン(001)表面光反射率スペクトルの第一原理計算(30aPS 領域9ポスターセッション(表面,界面,結晶成長),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 28pYB-2 Molecular Rotation Effects on the Dissociative Adsorption of H_2 on Si(001)(Surface science and photoemission spectroscopy)
- 20pYD-11 Quantum Dynamics of Hydrogen Interaction with Si(001) : A Coupled Channel Approach
- 27pPSA-52 カーボンアロイ触媒によるCO酸化反応の第一原理シミュレーション(27pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27pPSA-46 HによるSi表面エッチングにおけるH終端Si(001)表面上でのH拡散の寄与(27pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23pPSB-23 HラジカルによるSi表面エッチング過程の解析 : 飛来Hラジカル表面吸着確率の既吸着H原子数依存(23pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27pPSA-30 第一原理計算によるGaN(0001)表面の終端構造の解析(27pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26pPSB-37 第一原理計算によるHF水溶液のアニーリング(26pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21aPSA-19 パラジウム触媒による鈴木・宮浦クロスカップリング反応の第一原理分子動力学シミュレーション(21aPSA 領域12ポスターセッション,領域12(ソフトマター物理,化学物理,生物物理))
- 20pPSA-51 Pt(111)表面上のステップ及びキンクサイトにおけるNO分子吸着のダイナミクス(20pPSA 領域9 ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長)
- 28pPSA-18 LaFe_Pd_xO_3ペロブスカイト触媒の自己再生機構に関する理論的研究(28pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面・結晶成長))
- 28aAQ-1 単層グラフェンに担持したPtクラスターに対するvan der Waals相互作用の影響(28aAQ グラフェン・シリセン,領域9(表面・界面・結晶成長))