26pPSB-41 低速Hラジカル照射下におけるSi(001)2×1表面H被覆率の第一原理計算(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)

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概要

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• 社団法人日本物理学会の論文
• 2009-08-18

著者

• 広瀬 喜久治

  阪大院工

• 稲垣 耕司

  阪大院工

• 安武 潔

  大阪大学 大学院工学研究科

• 安武 潔

  阪大院工

• 阿武 潔

  大阪大学大学院工学研究科

• 稲垣 耕司

  阪大院工:jst-crest

• 金井 良太

  阪大院工

• 金井 良太

  阪大工

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