26pJA-11 シリコン価電子帯に及ぼす内部歪みの効果(表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 一般社団法人日本物理学会の論文
• 2013-08-26

著者

• 稲岡 毅

  琉球大理

• 柳澤 将

  琉球大理

• 嘉手川 千央

  琉球大理

関連論文

• 20aGQ-6 極薄金属ワイヤーに生ずる低次元プラズモン(20aGQ 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 21aPS-27 n型InSb表面のキャリア涸渇層形成過程における表面電子状態(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 22pPSA-80 EELSによるシリコン表面上における原子鎖の一次元プラズモンの研究(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 18pTG-6 Si(111)-5×2-Au表面上における一次元プラズモンの研究(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 24pXJ-8 帯状表面電子系に生ずるプラズモン : 1次元性と2次元性(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 18pTG-7 Si(557)-Au表面に生ずる低次元プラズモン(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 25pPSB-11 半導体表面の金属量子細線配列に生ずる低次元プラズモンIII(25pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 26pPSB-10 Si(111)表面反転層ホールサブバンドの構造 : 歪みの効果(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 29pPSB-62 Si(111)表面反転層ホールサブバンドの構造(29pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 22pPSA-12 n型InAs表面キャリア蓄積層形成過程でのサブバンド構造の変化(22pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 20pYK-2 走査トンネルスペクトロスコピーによる二次元電子系の波数空間解析(20pYK 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 23pWH-4 量子ホール転移の実空間観察(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 26aTD-6 極低密度2次元電子系のプラズモン分散 : 交換・相関と温度効果(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 21pYE-9 n型InAs表面キャリア蓄積層の電子構造(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24pWB-10 Si(557)-Au上の1次元プラズモン : 交換・相関とスピン軌道相互作用(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 24aPS-133 半導体表面の金属量子細線配列に生ずる低次元プラズモンII(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 15aPS-20 半導体表面の金属量子細線配列に生ずる低次元プラズモン(領域 9)
• 27pPSA-5 帯状金属単原子吸着層に生ずる低次元プラズモンIII(領域9ポスターセッション)(領域9)
• 23aYE-12 帯状金属単原子吸着層に生ずる低次元プラズモン II
• 22aYD-8 狭ギャップ半導体表面におけるキャリア蓄積層形成過程 : 伝導帯非放物型分散の効果
• 24aPS-49 Si(001)表面反転層ホールサブバンドの構造 : 歪みの効果(24aPS 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 31pZE-3 帯状金属単原子吸着層に生ずる低次元プラズモン
• 高分解能電子エネルギー損失分光におけるプローブ分散領域の運動学的解析
• 19pPSB-50 高分解能電子エネルギー損失分光におけるプローブ分散領域の運動学的解析
• 28pXE-1 電子遷移過程のレベルで視た微粒子4重極表面プラズモンの内部構造
• 24aPS-46 キャリア涸渇層形成過程における半導体表面素励起の移り変わり II
• Thickness Dependence of Carrier-Electron States in Doped Semiconductor Films
• 24pW-15 キャリア涸渇層形成過程における半導体表面素励起の移り変わり
• 28a-Q-7 ドープした化合物半導体の表面素励起に及ぼすキャリア涸渇層の効果
• 27a-YK-13 ドープした半導体薄膜におけるキャリア電子状態の膜厚依存性
• 1p-YE-6 半導体表面でのキャリア涸渇層あるいは蓄積層形成過程における電子状態の変化
• Microscopic Structure of Dipolar Surface Plasmons in Spherical Small Particles in a Broad Size Range
• 5p-H-4 球面上および平面上での電子気体励起の類似と相違
• 29p-G-9 微粒子に生ずる表面および体積プラズモンの内部構造
• Coupling of Two-Dimensional and Surface Plasmons at Selectively-Doped Semiconductor Heterostructures
• 微粒子伝導電子系双極子励起の内部構造
• 31a-F-2 半導体表面におけるキャリアプラズモンー極性フォノン相互作用
• Thickness Dependence of Electronic Structure of Small Spherical Metal Shells
• 28a-J-1 微粒子伝導電子系励起の内部構造
• 3a-R-8 金属球殻の電子構造II
• 27pPSA-14 Si(001)表面反転層ホールサブバンドの構造 : 歪みの効果II(27pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• Characteristics of Electronic Structure of Small Spherical Metal Shells
• 31a-WB-12 金属球殻の電子構造
• 12a-DJ-8 半導体微粒子キャリア基底状態のサイズ依存性
• Coupling of the Surface and Interface Excitations in Small Coated Particles
• 29p-PSB-33 コーティングした微粒子に生ずる表面励起と界面励起
• 27p-PSA-38 半導体微粒子のキャリア基底状態
• 30p-ZS-6 球面上に束縛された電子ガスの多重極励起
• 29p-BPS-15 球対称に閉じ込められた電子ガスの多重極応答
• 25p-PS-56 縮退極性半導体表面におけるプラズモン-フォノン相互作用II
• 5a-PS-1 縮退極性半導体表面におけるプラズモン-フォノン相互作用
• 30a-Y-6 ドープした極性半導体に生ずるプラズモン-フォノン結合モードの構造
• 3p-T-1 n型極性半導体表面に生ずる2つの異なる表面光学フォノンモード
• 23pPSA-7 Si(110)表面反転層ホールサブバンドの構造 : 歪みの効果(23pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 21pHA-4 第一原理計算によるSi(111)表面上N原子及びO原子吸着II(21pHA 表面界面構造(半導体),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 23pPSA-8 シリコンの伝導帯、間接バンドギャップに及ぼす歪みの効果(23pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 22pRC-9 歪みシリコンの価電子帯分散構造の実験的解明(22pRC 表面界面電子物性(表面伝導・光電子分光),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24aCK-2 シリコンバンド構造の異方性と歪みの効果(24aCK 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 21aPSA-19 パラジウム触媒による鈴木・宮浦クロスカップリング反応の第一原理分子動力学シミュレーション(21aPSA 領域12ポスターセッション,領域12(ソフトマター物理,化学物理,生物物理))
• 18aFE-6 ゲルマニウムバンド構造に及ぼす歪みの効果(18aFE 表面界面電子物性・表面局所光学現象,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24pCC-8 第一原理計算によるSi(111)表面上N原子及びO原子吸着III(24pCC 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 27aXK-10 シリコンバンド構造の異方性と歪みの効果II(27aXK グラフェン・半導体,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 26pJA-11 シリコン価電子帯に及ぼす内部歪みの効果(表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 27pPSA-36 STM探針下における局在表面プラズモンと振動の結合機構(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク