24pXJ-8 帯状表面電子系に生ずるプラズモン : 1次元性と2次元性(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 2007-08-21
著者
関連論文
- 20pGQ-4 Biナノリボンの第一原理計算(20pGQ 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 20aGQ-6 極薄金属ワイヤーに生ずる低次元プラズモン(20aGQ 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21aYC-1 Si 表面上の液体金属のサーファクタント層状成長
- 20aPS-12 ペンタセン超薄膜の電子構造(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 21aPS-27 n型InSb表面のキャリア涸渇層形成過程における表面電子状態(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26pPSB-39 Bi原子スケール薄膜の第一原理計算(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 28aRF-4 Bi{012}超薄膜における双安定性と相対論的効果(28aRF 格子欠陥・ナノ構造(シミュレーション・電子状態),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 27pTE-5 分子ナノドメインのSTM探針による操作(27pTE 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24pXJ-7 Si(111)-β-√×√-Bi表面における2次元電子状態のSTM観察(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 20aPS-2 Si(111)表面上の半金属Biナノ薄膜の成長及び電子状態の研究II(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 27pYB-12 量子ポイントコンタクトにおける局在電子状態のSTMによる直接観察(27pYB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 20pXA-12 Si(111)表面上の半金属Biナノ薄膜の成長及び電子状態の研究(表面・界面ダイナミクス(半導体表面・実験),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23aYH-7 Si(111)表面上Bi(001)超薄膜の表面状態電気伝導(23aYH 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22pPSA-80 EELSによるシリコン表面上における原子鎖の一次元プラズモンの研究(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 18pTG-6 Si(111)-5×2-Au表面上における一次元プラズモンの研究(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 24pPSB-3 SiO_2表面へのAuナノ粒子吸着脱離キネティクスのin situ ATR-IR観察(24pPSB 領域12ポスターセッション,領域12(ソフトマター物理,化学物理,生物物理))
- 24pXJ-8 帯状表面電子系に生ずるプラズモン : 1次元性と2次元性(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 18pTG-1 ビスマス表面状態のスピン角度分解光電子分光(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 18pTG-7 Si(557)-Au表面に生ずる低次元プラズモン(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 25pPSB-11 半導体表面の金属量子細線配列に生ずる低次元プラズモンIII(25pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21pYE-5 ナノ薄膜Biの構造・対称性と電子構造(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21pYE-4 Si(111)表面上Bi(001)超薄膜の光電子分光測定(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21aPS-24 Bi(001)薄膜の原子構造と安定性(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- シリコン表面上の半金属Bi超薄膜の同素変態
- 24pPSA-38 アルカリ金属原子吸着Si(111)-√×√表面の構造と電気伝導
- 27pY-12 Si(111)-3x2-Ca表面の電子状態
- 28a-Q-9 Si(111)√×√-Ag表面上におけるC-60分子層の構造
- 28p-YR-2 Pb吸着Si(111)表面上の整合-不整合転移における電子状態の変化と電気伝導
- 26pPSB-10 Si(111)表面反転層ホールサブバンドの構造 : 歪みの効果(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 29pPSB-62 Si(111)表面反転層ホールサブバンドの構造(29pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22pPSA-12 n型InAs表面キャリア蓄積層形成過程でのサブバンド構造の変化(22pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 20pYK-2 走査トンネルスペクトロスコピーによる二次元電子系の波数空間解析(20pYK 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 23pWH-4 量子ホール転移の実空間観察(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 26aTD-6 極低密度2次元電子系のプラズモン分散 : 交換・相関と温度効果(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 21pYE-9 n型InAs表面キャリア蓄積層の電子構造(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24pWB-10 Si(557)-Au上の1次元プラズモン : 交換・相関とスピン軌道相互作用(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 24aPS-133 半導体表面の金属量子細線配列に生ずる低次元プラズモンII(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 15aPS-20 半導体表面の金属量子細線配列に生ずる低次元プラズモン(領域 9)
- 27pPSA-5 帯状金属単原子吸着層に生ずる低次元プラズモンIII(領域9ポスターセッション)(領域9)
- 23aYE-12 帯状金属単原子吸着層に生ずる低次元プラズモン II
- 22aYD-8 狭ギャップ半導体表面におけるキャリア蓄積層形成過程 : 伝導帯非放物型分散の効果
- 24pRC-4 半金属Bi超薄膜におけるキャリアダイナミクスの時間領域THz分光(24pRC 超高速現象,領域5(光物性))
- 24aPS-14 Si(111)-√×√、3×3-Pb相転移のSTMによる研究
- 22aW-9 鉛吸着シリコン表面上での整合-不整合転移のSTM及び光電子分光法による研究
- 26aWX-1 原子ワイヤーにおけるプラズモン共振器効果(26aWX ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24aPS-61 Biナノリボンのエッジ状態(24aPS 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23aRE-6 プラズモン増強赤外吸収におけるナノモフォロジーの効果 : スペクトル形状変化とその電磁場解析(23aRE 顕微・近接場分光/新光源・新分光法,領域5(光物性))
- 24aPS-49 Si(001)表面反転層ホールサブバンドの構造 : 歪みの効果(24aPS 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26pXD-5 高分解能低速電子線回折による半金属Biナノ薄膜の構造相転移観察(表面・界面ダイナミクス,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 28pPSB-38 Bi(001) エピタクシャル超薄膜の構造安定性及び表面融解メカニズム
- 28aYQ-11 マイクロ4端子法による電気伝導の測定
- 24aPS-18 Si(111)-√×√-Ag表面の電子状態
- 24aT-7 Si(001)上のAg原子層のunwettingと電気伝導II
- 26aPS-50 Si(001)上のAg原子層のunwettingと電気伝導
- 26aPS-24 インジウムが吸着したSi(111)表面での低温相転移
- 30p-Q-1 8×2-In/Si(111)超構造の1次元電荷密度波の低温STM観察
- 28p-Q-14 Si(111)-√×√-Ag表面の低温STM観察
- シリコンの表面構造と電子輸送
- 25a-YM-9 In吸着Si(111)表面の4×1⇄8×2パイエルス構造相転移
- 金属ナノ物質の次元性とプラズモン
- 31pZE-1 Si(111) 表面上の Ag(111) 超薄膜の高波数分解 ELS-LEED
- 高波数分解型 LEED・EELS 法と低次元ナノ物性計測
- 28aYQ-10 独立駆動型四探針STM装置による表面電気伝導の測定
- 24pPSA-60 Bi多重原子層成長における下地表面超構造を用いた界面改質の効果
- 24pPSA-52 Epitaxial Growth of Ag on Si(111)-4×1-In Surface
- 22aWA-13 表面電子状態中のシートプラズモンにおける量子効果
- 31pZE-3 帯状金属単原子吸着層に生ずる低次元プラズモン
- 高分解能電子エネルギー損失分光におけるプローブ分散領域の運動学的解析
- 19pPSB-50 高分解能電子エネルギー損失分光におけるプローブ分散領域の運動学的解析
- 28pXE-1 電子遷移過程のレベルで視た微粒子4重極表面プラズモンの内部構造
- 24aPS-46 キャリア涸渇層形成過程における半導体表面素励起の移り変わり II
- Thickness Dependence of Carrier-Electron States in Doped Semiconductor Films
- 24pW-15 キャリア涸渇層形成過程における半導体表面素励起の移り変わり
- 28a-Q-7 ドープした化合物半導体の表面素励起に及ぼすキャリア涸渇層の効果
- 27a-YK-13 ドープした半導体薄膜におけるキャリア電子状態の膜厚依存性
- 1p-YE-6 半導体表面でのキャリア涸渇層あるいは蓄積層形成過程における電子状態の変化
- Microscopic Structure of Dipolar Surface Plasmons in Spherical Small Particles in a Broad Size Range
- 5p-H-4 球面上および平面上での電子気体励起の類似と相違
- 29p-G-9 微粒子に生ずる表面および体積プラズモンの内部構造
- Coupling of Two-Dimensional and Surface Plasmons at Selectively-Doped Semiconductor Heterostructures
- 微粒子伝導電子系双極子励起の内部構造
- 31a-F-2 半導体表面におけるキャリアプラズモンー極性フォノン相互作用
- Thickness Dependence of Electronic Structure of Small Spherical Metal Shells
- 28a-J-1 微粒子伝導電子系励起の内部構造
- 3a-R-8 金属球殻の電子構造II
- 25pW-15 表面電子バンド中に局在した(2次元?)プラズモン
- 25pW-4 μ-4probe内蔵UHV-SEM-SREMによる表面電気伝導のその場観察
- 24aPS-12 独立駆動型4端子STM装置の開発
- 23pW-11 独立駆動型4端子STMによる表面電気伝導の測定
- 27pPSA-23 Biエッジ状態の第一原理計算(27pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24aT-1 Si(111)表面上の単結晶Bi超薄膜の成長メカニズム
- 23aT-3 SPA-LEEDによるIn-4×1,8×2/Si(111)相転移の温度依存性の測定
- 29a-PS-15 Si(111)表面上のCa吸着・脱離過程のSTM観察
- 28p-YM-5 2次元角度走査型HREELS装置-ELS-LEED装置-の製作
- 25pPSA-58 原子ワイヤーにおける伝搬型プラズモンと局在プラズモン(25pPSA 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 25pHB-2 銀ナノディスク表面における定在波プラズモン(25pHB 微粒子・ナノ結晶,領域5(光物性))
- 23pHA-5 Biナノリボンの電子状態に及ぼす基板の影響(23pHA 表面界面電子物性(シミュレーション),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23aTN-6 金属原子シート、ナノディスクにおける定在波プラズモンと伝搬型プラズモン(23aTN 微粒子・ナノ結晶,領域5(光物性))
- 21pPSB-29 酸化亜鉛ナノロッド・ナノディスクに吸着した金属ナノ粒子のプラズモン共鳴(21pPSB 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 27aDB-3 高強度テラヘルツ波による半金属薄膜内キャリアの非線形ダイナミクス(超高速現象(非線形光学・コヒーレントフォノン),領域5(光物性))