28aYQ-10 独立駆動型四探針STM装置による表面電気伝導の測定
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 2001-03-09
著者
-
長尾 忠昭
物材機構
-
長谷川 修司
東大理
-
保原 麗
東大理
-
長尾 忠昭
東大理
-
白木 一郎
東京大学大学院理学系研究科物理学教室
-
保原 麗
東京大学大学院理学系研究科物理学教室
-
田邊 輔仁
東京大学大学院理学系研究科物理学教室
-
田辺 輔仁
東大理
-
白木 一郎
東大理
-
長尾 忠昭
物質・材料研究機構 ナノシステム機能センター
関連論文
- 20pGQ-3 シリコン表面上のトポロジカル絶縁体Bi_2Se_3超薄膜の電子構造(20pGQ 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 20pGQ-2 BiSb合金超薄膜表面状態の光電子分光スペクトルの偏光依存性(20pGQ 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 20pGQ-4 Biナノリボンの第一原理計算(20pGQ 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 20aGQ-6 極薄金属ワイヤーに生ずる低次元プラズモン(20aGQ 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21pRC-15 第41回国際物理オリンピック(IPhO)日本代表訓練:実験研修(21pRC 物理教育,領域13(物理教育,物理学史,環境物理))
- 22pGL-4 シリコン上コバルト薄膜の磁気光学Kerr効果測定(22pGL 領域3,領域9合同 表面・界面磁性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22pGL-4 シリコン上コバルト薄膜の磁気光学Kerr効果測定(22pGL 領域3,領域9合同 表面・界面磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 28aVE-11 第5回全国物理コンテスト・物理チャレンジ2009報告IV : 全体報告(物理教育,領域13,物理教育,物理学史,環境物理)
- 28aVE-7 第40回国際物理オリンピック(メキシコ大会)報告(物理教育,領域13,物理教育,物理学史,環境物理)
- 27aYG-10 BiSb合金超薄膜の電子状態及び輸送特性(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 20pGQ-10 低温型独立駆動4探針STMによるSi(111)4×1-In上Ag薄膜の輸送特性測定(20pGQ 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21aYC-1 Si 表面上の液体金属のサーファクタント層状成長
- 20aPS-12 ペンタセン超薄膜の電子構造(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 28aVE-8 第5回全国物理コンテスト・物理チャレンジ2009報告 : I. 第1チャレンジ(物理教育,領域13,物理教育,物理学史,環境物理)
- 20aYE-2 酸化Si表面上Geナノドットの量子サイズ効果の直接観測(表面ナノ構造量子物性,ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 20pRA-2 第4回全国物理コンテスト・物理チャレンジ2008報告II : 実験問題(20pRA 物理教育,領域13(物理教育,物理学史,環境物理))
- 26pPSB-39 Bi原子スケール薄膜の第一原理計算(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 28aRF-4 Bi{012}超薄膜における双安定性と相対論的効果(28aRF 格子欠陥・ナノ構造(シミュレーション・電子状態),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 27pTE-5 分子ナノドメインのSTM探針による操作(27pTE 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24pXJ-7 Si(111)-β-√×√-Bi表面における2次元電子状態のSTM観察(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 20aPS-2 Si(111)表面上の半金属Biナノ薄膜の成長及び電子状態の研究II(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 27pYB-12 量子ポイントコンタクトにおける局在電子状態のSTMによる直接観察(27pYB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 20pXA-12 Si(111)表面上の半金属Biナノ薄膜の成長及び電子状態の研究(表面・界面ダイナミクス(半導体表面・実験),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 19pXJ-3 物理チャレンジ・オリンピック日本委員会報告 : II.国際物理オリンピック2007代表候補者教育訓練(物理教育,領域13,物理教育,物理学史,環境物理)
- 19pXJ-4 物理チャレンジ・オリンピック日本委員会報告III : 国際物理オリンピック2007代表候補訓練冬合宿・春合宿(物理教育,領域13,物理教育,物理学史,環境物理)
- 24aWA-1 国際物理オリンピック(IPhO)と物理チャレンジI : IPhO選手派遣に至るまで(24aWA 物理教育,領域13(物理教育,物理学史,環境物理))
- 22pXF-12 Pb吸着Ge(111)表面の相転移とその電子状態(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27aYG-11 強磁場下独立駆動型多端子装置によるBi/Ag超薄膜の反局在効果の研究(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 22aXA-11 Si(111)4×1-In表面の相転移と欠陥の効果II(22aXA 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24pPSA-6 Si(111)4×1-In表面の相転移と欠陥の効果(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 22pPSA-14 低温における金蒸着シリコン表面の電気伝導度の比較(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 18aTG-11 極薄Si酸化膿上Geナノドットの伝導機構の研究(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 20aPS-10 金属蒸着したシリコン表面上の電気伝導度異方性(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 20aPS-21 Si(111)表面上のAu膜の内殻光電子分光および電気伝導測定(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 30pYB-5 全Au/Si(111)表面超構造シリーズの電気伝導とその違い(30pYB 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 30pYB-4 Au/Si(553)表面の表面電気伝導度の温度依存性(30pYB 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27pYB-11 極薄Si酸化膜上Geナノドットの閉じ込めポテンシャルと電気伝導特性(27pYB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22aXF-11 Au吸着Si(111)表面のSTM観察と電気伝導(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25pWB-8 室温から極低温までのAu/Si(111)表面の表面電子輸送研究(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 24pXC-3 CoSi_2ナノワイヤの電気伝導特性(ナノワイヤ・ナノチューブ,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 14aXG-9 Au/Si(111) 表面上のグラスークリスタル転移の表面電子輸送研究(表面界面電子物性, 領域 9)
- 27aWP-6 Au/Si(557)表面の電気伝導度の異方性(表面界面電子物性(半導体・無機))(領域9)
- 23aYH-7 Si(111)表面上Bi(001)超薄膜の表面状態電気伝導(23aYH 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22pPSA-80 EELSによるシリコン表面上における原子鎖の一次元プラズモンの研究(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 18pTG-6 Si(111)-5×2-Au表面上における一次元プラズモンの研究(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 24pPSB-3 SiO_2表面へのAuナノ粒子吸着脱離キネティクスのin situ ATR-IR観察(24pPSB 領域12ポスターセッション,領域12(ソフトマター物理,化学物理,生物物理))
- 24pXJ-8 帯状表面電子系に生ずるプラズモン : 1次元性と2次元性(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 18pTG-1 ビスマス表面状態のスピン角度分解光電子分光(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 18pTG-7 Si(557)-Au表面に生ずる低次元プラズモン(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 25pPSB-11 半導体表面の金属量子細線配列に生ずる低次元プラズモンIII(25pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21pYE-5 ナノ薄膜Biの構造・対称性と電子構造(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21pYE-4 Si(111)表面上Bi(001)超薄膜の光電子分光測定(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21aPS-24 Bi(001)薄膜の原子構造と安定性(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- シリコン表面上の半金属Bi超薄膜の同素変態
- 24pPSA-38 アルカリ金属原子吸着Si(111)-√×√表面の構造と電気伝導
- 27pY-12 Si(111)-3x2-Ca表面の電子状態
- 28a-Q-9 Si(111)√×√-Ag表面上におけるC-60分子層の構造
- 28p-YR-2 Pb吸着Si(111)表面上の整合-不整合転移における電子状態の変化と電気伝導
- 24pWB-10 Si(557)-Au上の1次元プラズモン : 交換・相関とスピン軌道相互作用(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 24aPS-133 半導体表面の金属量子細線配列に生ずる低次元プラズモンII(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 15aPS-20 半導体表面の金属量子細線配列に生ずる低次元プラズモン(領域 9)
- 24pRC-4 半金属Bi超薄膜におけるキャリアダイナミクスの時間領域THz分光(24pRC 超高速現象,領域5(光物性))
- 24aPS-14 Si(111)-√×√、3×3-Pb相転移のSTMによる研究
- 22aW-9 鉛吸着シリコン表面上での整合-不整合転移のSTM及び光電子分光法による研究
- 26aWX-1 原子ワイヤーにおけるプラズモン共振器効果(26aWX ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24aPS-61 Biナノリボンのエッジ状態(24aPS 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23aRE-6 プラズモン増強赤外吸収におけるナノモフォロジーの効果 : スペクトル形状変化とその電磁場解析(23aRE 顕微・近接場分光/新光源・新分光法,領域5(光物性))
- 26pXD-5 高分解能低速電子線回折による半金属Biナノ薄膜の構造相転移観察(表面・界面ダイナミクス,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 28pPSB-38 Bi(001) エピタクシャル超薄膜の構造安定性及び表面融解メカニズム
- 28aYQ-11 マイクロ4端子法による電気伝導の測定
- 24aPS-18 Si(111)-√×√-Ag表面の電子状態
- 24aT-7 Si(001)上のAg原子層のunwettingと電気伝導II
- 26aPS-50 Si(001)上のAg原子層のunwettingと電気伝導
- 26aPS-24 インジウムが吸着したSi(111)表面での低温相転移
- 30p-Q-1 8×2-In/Si(111)超構造の1次元電荷密度波の低温STM観察
- 28p-Q-14 Si(111)-√×√-Ag表面の低温STM観察
- シリコンの表面構造と電子輸送
- 25a-YM-9 In吸着Si(111)表面の4×1⇄8×2パイエルス構造相転移
- 金属ナノ物質の次元性とプラズモン
- 31pZE-1 Si(111) 表面上の Ag(111) 超薄膜の高波数分解 ELS-LEED
- 高波数分解型 LEED・EELS 法と低次元ナノ物性計測
- 28aYQ-10 独立駆動型四探針STM装置による表面電気伝導の測定
- 24pPSA-60 Bi多重原子層成長における下地表面超構造を用いた界面改質の効果
- 24pPSA-52 Epitaxial Growth of Ag on Si(111)-4×1-In Surface
- 22aWA-13 表面電子状態中のシートプラズモンにおける量子効果
- 25pW-15 表面電子バンド中に局在した(2次元?)プラズモン
- 25pW-4 μ-4probe内蔵UHV-SEM-SREMによる表面電気伝導のその場観察
- 24aPS-12 独立駆動型4端子STM装置の開発
- 23pW-11 独立駆動型4端子STMによる表面電気伝導の測定
- 27pPSA-23 Biエッジ状態の第一原理計算(27pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24aT-1 Si(111)表面上の単結晶Bi超薄膜の成長メカニズム
- 23aT-3 SPA-LEEDによるIn-4×1,8×2/Si(111)相転移の温度依存性の測定
- 29a-PS-15 Si(111)表面上のCa吸着・脱離過程のSTM観察
- 28p-YM-5 2次元角度走査型HREELS装置-ELS-LEED装置-の製作
- 25pPSA-58 原子ワイヤーにおける伝搬型プラズモンと局在プラズモン(25pPSA 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 25pHB-2 銀ナノディスク表面における定在波プラズモン(25pHB 微粒子・ナノ結晶,領域5(光物性))
- 23pHA-5 Biナノリボンの電子状態に及ぼす基板の影響(23pHA 表面界面電子物性(シミュレーション),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23aTN-6 金属原子シート、ナノディスクにおける定在波プラズモンと伝搬型プラズモン(23aTN 微粒子・ナノ結晶,領域5(光物性))
- 21pPSB-29 酸化亜鉛ナノロッド・ナノディスクに吸着した金属ナノ粒子のプラズモン共鳴(21pPSB 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 27aDB-3 高強度テラヘルツ波による半金属薄膜内キャリアの非線形ダイナミクス(超高速現象(非線形光学・コヒーレントフォノン),領域5(光物性))