Coupling of Two-Dimensional and Surface Plasmons at Selectively-Doped Semiconductor Heterostructures
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
At a selectively-doped semiconductor heterostructure, two-dimensional (2D) plasmons at theheterojunction are coupled with surface plasmons of the semi-infinite electron system in thedoped substrate. Assuming a sharply localized free-electron gas formed at the heterojunction,we demonstrate that this coupling plays an important role in electronic excitations at the het-erostructure. In view of observation by high-resolution electron energy loss spectroscopy, wecalculate the dynamical response of the coupled 2D and semi-infinite electron systems near thesurface to the oscillatory external potential acting on the surface. We investigate the disper-sion relation and the coupling structure of coupled modes, and the variation of the energy-lossintensity and the mode character along each dispersion branch.
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1996-12-15
著者
-
稲岡 毅
琉球大理
-
NISHIDA Atsushi
Department of Psychiatry, Division of Neuroscience, Mie University, Graduate School of Medicine
-
Nishida Atsushi
Graduate School Of Pharmaceutical Sciences Chiba University
-
HASEGAWA Masashi
Institute of Materials Research, Tohoku University
-
HASEGAWA Masayuki
Department of Physics, Faculty of Science, Tohoku University
-
INAOKA Takeshi
Department of Electrical and Electronic Engineering, The University of Tokushima
-
Inaoka Takeshi
Department Of Electrical And Electronic Engineering The University Of Tokushima
-
Nishida A
Graduate School Of Pharmaceutical Sciences Chiba University
-
Hasegawa M
Institute Of Materials Research Tohoku University
-
Nishida Atsushi
Department Of Chemical System Engineering The University Of Tokyo
-
Hasegawa Masayuki
Department Of Materials Science And Technology Faculty Of Engineering Iwate University
関連論文
- 20aGQ-6 極薄金属ワイヤーに生ずる低次元プラズモン(20aGQ 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21aPS-27 n型InSb表面のキャリア涸渇層形成過程における表面電子状態(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- Frontal dysfunction during a cognitive task in drug-naive patients with panic disorder as investigated by multi-channel near-infrared spectroscopy imaging
- Preparation of Tethered Palladium Catalysis Supported on Gold(111) and Its Surface Characterization by X-ray Photoelectron Spectroscopy (XPS)
- 22pPSA-80 EELSによるシリコン表面上における原子鎖の一次元プラズモンの研究(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 18pTG-6 Si(111)-5×2-Au表面上における一次元プラズモンの研究(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 24pXJ-8 帯状表面電子系に生ずるプラズモン : 1次元性と2次元性(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 18pTG-7 Si(557)-Au表面に生ずる低次元プラズモン(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 25pPSB-11 半導体表面の金属量子細線配列に生ずる低次元プラズモンIII(25pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26pPSB-10 Si(111)表面反転層ホールサブバンドの構造 : 歪みの効果(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 29pPSB-62 Si(111)表面反転層ホールサブバンドの構造(29pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22pPSA-12 n型InAs表面キャリア蓄積層形成過程でのサブバンド構造の変化(22pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 20pYK-2 走査トンネルスペクトロスコピーによる二次元電子系の波数空間解析(20pYK 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 23pWH-4 量子ホール転移の実空間観察(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 26aTD-6 極低密度2次元電子系のプラズモン分散 : 交換・相関と温度効果(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 21pYE-9 n型InAs表面キャリア蓄積層の電子構造(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24pWB-10 Si(557)-Au上の1次元プラズモン : 交換・相関とスピン軌道相互作用(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 24aPS-133 半導体表面の金属量子細線配列に生ずる低次元プラズモンII(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 15aPS-20 半導体表面の金属量子細線配列に生ずる低次元プラズモン(領域 9)
- 27pPSA-5 帯状金属単原子吸着層に生ずる低次元プラズモンIII(領域9ポスターセッション)(領域9)
- 23aYE-12 帯状金属単原子吸着層に生ずる低次元プラズモン II
- 22aYD-8 狭ギャップ半導体表面におけるキャリア蓄積層形成過程 : 伝導帯非放物型分散の効果
- Enhancement of Wall Fueling and Improvement in nτ of a Beam-Heated H-Mode Discharge by Electron Cyclotron Wave in the JFT-2M Tokamak
- Measurement of Peripheral Electron Temperature by Electron Cyclotron Emission during the H-Mode Transition in JFT-2M Tokamak
- Effect of Substrate Surface Phase on the Shape of Self-Organized Al Nanoclusters on Si(100) Formed upon Atomic Hydrogen Exposure
- 24aPS-49 Si(001)表面反転層ホールサブバンドの構造 : 歪みの効果(24aPS 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- Unoccupied Electronic State of Delafossite-Type PdCoO_2 Single Crystal Probed Using Inverse Photoemission Spectroscopy
- Electronic Structure of Delafossite-Type Oxide PtCoO_2 by Resonant-Photoemission Spectroscopy
- Kinetic Analysis on Crystallization of Bi_2Sr_2CaCu_2O_8 from Its Glassy State
- Effects of Azimilide on the Muscarinic Acetylcholine Receptor-Operated K^+ Current and Experimental Atrial Fibrillation in Guinea-Pig Hearts
- A System for Long-Pulse REB Generation
- Electron Energy Increase of a REB-Ring by Major Radius Compression
- Experiment on Current Decay of Intense REB Ring with a Large Self-Magnetic Energy
- Electron Energy Increase of an REB-Ring by Major Radius Compression
- Experiment on Current Decay of Intense REB Ring with a Large Self-Magnetic Energy
- A System for Long Pulse REB Generation
- Preliminary Experiment on Electron Beam Injection for Tokamak Current Drive
- Generation of Astron-Spherator Configuration
- Formation of Relativistic Electron Beam Rings in a Conducting Cavity
- Preliminary Experiment on Electron Beam Injection for Tokamak Current Drive
- Measurement of Anisotropic Soft X-Ray Emission during Radio-Frequency Current Drive in the JFT-2M Tokamak
- Highly Reactive Organopalladium Catalyst Formed on Sulfur-Terminated GaAs(001)-(2 × 6) Surface
- Novel Palladium Catalyst Supported on GaAs(001) Passivated by Ammonium Sulfide
- Novel Organopalladium Material Formed on a Sulfur-Terminated GaAs(001) Surface
- 31pZE-3 帯状金属単原子吸着層に生ずる低次元プラズモン
- 高分解能電子エネルギー損失分光におけるプローブ分散領域の運動学的解析
- 19pPSB-50 高分解能電子エネルギー損失分光におけるプローブ分散領域の運動学的解析
- 28pXE-1 電子遷移過程のレベルで視た微粒子4重極表面プラズモンの内部構造
- 24aPS-46 キャリア涸渇層形成過程における半導体表面素励起の移り変わり II
- Thickness Dependence of Carrier-Electron States in Doped Semiconductor Films
- 24pW-15 キャリア涸渇層形成過程における半導体表面素励起の移り変わり
- 28a-Q-7 ドープした化合物半導体の表面素励起に及ぼすキャリア涸渇層の効果
- 27a-YK-13 ドープした半導体薄膜におけるキャリア電子状態の膜厚依存性
- 1p-YE-6 半導体表面でのキャリア涸渇層あるいは蓄積層形成過程における電子状態の変化
- Microscopic Structure of Dipolar Surface Plasmons in Spherical Small Particles in a Broad Size Range
- 5p-H-4 球面上および平面上での電子気体励起の類似と相違
- 29p-G-9 微粒子に生ずる表面および体積プラズモンの内部構造
- Coupling of Two-Dimensional and Surface Plasmons at Selectively-Doped Semiconductor Heterostructures
- 微粒子伝導電子系双極子励起の内部構造
- 31a-F-2 半導体表面におけるキャリアプラズモンー極性フォノン相互作用
- Thickness Dependence of Electronic Structure of Small Spherical Metal Shells
- 28a-J-1 微粒子伝導電子系励起の内部構造
- 3a-R-8 金属球殻の電子構造II
- Nonlinear Meissner Effect in Double Layered High-Tc Cuprates Investigated by Measurement of the Penetration Depth
- Application of Iron Humates to Barren Ground in a Coastal Area for Restoring Seaweed Beds
- Asymmetric Synthesis of Hydroisoquinoline Derivatives, a Key Intermediate for Manzamine Synthesis, by Diels-Alder Reaction Using 4-Amino-2-siloxybutadiene
- Electronic Structure of Delafossite-Type Metallic Oxide PdCoO_2
- Electronic Band Structure of SrCuO_2
- Growth and Anisotropic Physical Properties of PdCoo_2 Single Crystals
- Electronic Structure and Stability of the Pd-Ni-P Bulk Metallic Glass
- Application of Iron Humates to Barren Ground in a Coastal Area for Restoring Seaweed Beds
- Pictet-Spengler Reaction of Nitrones and Imines Catalyzed by Yb(OTf)_3-TMSCI
- Simple Synthesis of Racemic Pyrrolo[2,3-b]indoles: Formal Total Synthesis of (±)-Physo-stigmine
- Construction of Chiral 1,2-Cycloalkanopyrrolidines from L-Proline Using Ring Closing Metathesis (RCM)
- New Approaches to Total Synthesis of Manzamine A, Ircinal A and Related Compounds
- P-313 SYNTHESIS OF MANZAMINE A USING FURAN-IMINIUM CATION CYCLIZATION
- A Highly Diastereoselective Pinacol Coupling Reaction of Aldehydes and Ketones Using Low-Valence Niobium Generated from Nb(V)
- 27pPSA-14 Si(001)表面反転層ホールサブバンドの構造 : 歪みの効果II(27pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- Characteristics of Electronic Structure of Small Spherical Metal Shells
- 31a-WB-12 金属球殻の電子構造
- 12a-DJ-8 半導体微粒子キャリア基底状態のサイズ依存性
- Coupling of the Surface and Interface Excitations in Small Coated Particles
- 29p-PSB-33 コーティングした微粒子に生ずる表面励起と界面励起
- 27p-PSA-38 半導体微粒子のキャリア基底状態
- 30p-ZS-6 球面上に束縛された電子ガスの多重極励起
- 29p-BPS-15 球対称に閉じ込められた電子ガスの多重極応答
- 25p-PS-56 縮退極性半導体表面におけるプラズモン-フォノン相互作用II
- 5a-PS-1 縮退極性半導体表面におけるプラズモン-フォノン相互作用
- 30a-Y-6 ドープした極性半導体に生ずるプラズモン-フォノン結合モードの構造
- 3p-T-1 n型極性半導体表面に生ずる2つの異なる表面光学フォノンモード
- 23pPSA-7 Si(110)表面反転層ホールサブバンドの構造 : 歪みの効果(23pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23pPSA-8 シリコンの伝導帯、間接バンドギャップに及ぼす歪みの効果(23pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22pRC-9 歪みシリコンの価電子帯分散構造の実験的解明(22pRC 表面界面電子物性(表面伝導・光電子分光),領域9(表面・界面,結晶成長))
- A Novel and Efficient Method for the Preparation of Unstable Tetramethylzirconium and Its Application Using a Microflow System
- 24aCK-2 シリコンバンド構造の異方性と歪みの効果(24aCK 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 18aFE-6 ゲルマニウムバンド構造に及ぼす歪みの効果(18aFE 表面界面電子物性・表面局所光学現象,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27aXK-10 シリコンバンド構造の異方性と歪みの効果II(27aXK グラフェン・半導体,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26pJA-11 シリコン価電子帯に及ぼす内部歪みの効果(表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- Highly Reactive Organopalladium Catalyst Formed on Sulfur-Terminated GaAs(001)-($2 \times 6$) Surface
- 27pPSA-36 STM探針下における局在表面プラズモンと振動の結合機構(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))