池田 稔 | 富士通厚木研
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概要
関連著者
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池田 稔
富士通厚木研
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池田 稔
富士通厚木研究所
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池田 稔
富士通研究所:富士通
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寺倉 清之
東大物性研
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小口 多美夫
広島大学理学部
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寺倉 清之
Jrcat
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寺倉 清之
融合研(jrcat)
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山崎 隆浩
株式会社富士通研究所
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山崎 隆浩
富士通研究所
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小口 多美夫
金属材料技術研究所
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山崎 隆浩
富士通厚木研究所
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森川 良忠
阪大産研
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池田 稔
富士通研究所
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原 久美子
富士通厚木研究所
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寺倉 清之
産総研
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寺倉 清之
産総研:北陸先端大
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石田 浩
東大・物性研
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森川 良忠
東大物性研
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原 久美子
富士通厚木研
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石田 浩
物惟研
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小口 多美夫
金材技研
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大槻 修
富士通厚木研
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寺倉 清之
物性研究所
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田子 精男
富士通株式会社
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三上 益弘
富士通システム本部
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石田 浩
東大 物性研
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石田 浩
東大物性研
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寺倉 清之
物性研
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山崎 隆治
富士通厚木研
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小林 一昭
無機材研(jrcat)
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石田 浩
物性研究所
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大槻 修
金属材料技術研究所
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松宮 徹
新日鉄中研
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川上 和人
新日鉄中研
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川上 和人
新日本製鐵(株)技術開発本部 先端技術研究所
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新日鉄先端技術
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小林 一昭
東大物性研
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Blugel S.
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石田 浩
東大物性研究所
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Blugel S.
ユーリッヒ固体研
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田子 精男
富士通
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ユーリッヒ固体研
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産総研計算科学研究部門
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富士通
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川上 和人
新日本製鐵(株)
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富士通シスラボ
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富士通シスラボ
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寺倉 清之
物惟研
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池田 稔
富士通厚木研究所,物性研究所
著作論文
- 2p-D-10 Si-Ge超格子の光学遷移強度
- 30a-Z-1 Si-Ge超格子の電子構造計算 : 界面での混晶化の効果
- 29a-O-10 MBEの分子動力学によるシミュレーション
- 28a-F-12 Si-Ge超薄膜超格子のバンドギャップ
- 31a-TA-9 Si(001)面再配列構造と古典的ポテンシャル : 擬ポテンシャル法との比較及び検討
- 29p-PSB-8 SI(001)上のAl、Gaの吸着IV
- 27a-Y-9 Si(001)上へのAl、Gaの吸着 III
- 31a-TA-10 第一原理分子動力学法によるSi(001)表面アルカリ吸着系の構造最適化
- 28a-ZS-3 Si(100)上へのAl、Gaの吸着II
- 30a-ZD-11 Si(100)上へのAl,Gaの吸着
- 31a-F4-7 シリコンの多体原子間tポテンシャル(表面・界面)
- 31a-F4-2 MBEの分子動力学によるシミュレーンヨンII(表面・界面)
- 1a-L1-5 Si-Ge超薄膜超格子のパンドギャップII(半導体,(表面・界面・超格子))
- 29a-G-2 Si-Ge超薄膜超格子のバンドギャップIII(29aG 半導体(超格子))