石田 浩 | 東大・物性研
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概要
関連著者
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石田 浩
東大・物性研
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石田 浩
物惟研
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石田 浩
東大 物性研
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寺倉 清之
Jrcat
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石田 浩
物性研究所
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原 久美子
富士通厚木研究所
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小口 多美夫
広島大学理学部
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塚田 捷
東大理
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石田 浩
東大物性研
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寺倉 清之
物性研
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寺倉 清之
融合研(jrcat)
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寺倉 清之
東大物性研
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池田 稔
富士通厚木研究所
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田子 精男
富士通株式会社
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島 信幸
姫路工大理
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石田 浩
東大物性研究所
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原 久美子
富士通厚木研
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池田 稔
富士通厚木研
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池田 稔
富士通研究所:富士通
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寺倉 清之
産総研
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小口 多美夫
金材技研
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大槻 修
富士通厚木研
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石田 浩
東大理
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島 信幸
東大理
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島 信幸
東大・理・物理
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池田 稔
富士通研究所
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小口 多美夫
金属材料技術研究所
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三上 益弘
富士通株式会社
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原 久美子
富士通研究所
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大槻 修
金属材料技術研究所
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三上 益弘
富士通システム本部
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三上 益弘
産総研計算科学研究部門
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山崎 隆浩
株式会社富士通研究所
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森川 良忠
東大・物性研
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山崎 隆浩
富士通研究所
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寺倉 清之
物性研究所
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松宮 徹
新日鉄中研
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川上 和人
新日鉄中研
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川上 和人
新日本製鐵(株)技術開発本部 先端技術研究所
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川上 和人
新日鉄先端技術
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山崎 隆浩
富士通厚木研究所
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石田 浩
東大・理・物理
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塚田 捷
東大 理・物理
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朱 梓忠
東大理
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田子 精男
富士通
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三上 益弘
富士通
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川上 和人
新日本製鐵(株)
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田子 精男
富士通シスラボ
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寺倉 清之
金属材料技術研究所
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大槻 修
富士通研究所
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三上 益弘
富士通シスラボ
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寺倉 清之
物惟研
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寺倉 清之
東大・物性研
著作論文
- MBEの分子動力学シミュレーション
- 29a-O-10 MBEの分子動力学によるシミュレーション
- 31a-TA-9 Si(001)面再配列構造と古典的ポテンシャル : 擬ポテンシャル法との比較及び検討
- アルカリ吸着系のオ-バ-レイヤ-・プラズモン
- 3p-S-12 tight-binding薄膜系・吸着系の集団励起
- 4a-E-6 K/Si(100)2×1の電子構造とオーバレイヤープラズモン
- 1a-RJ-11 擬1次元オーバーレイヤープラズモンの電子エネルギー損失スペクトル
- 29a-Y-3 ジェリウム薄膜の電子状態と吸着の理論
- 3p-C4-4 Si(100)2x1/K(被覆度=1/2,1)の電子状態
- 26a-Z-12 金属表面上のアルカリ吸着層の格子振動の被覆度依存性
- 3p-C4-5 半無限ジェリウム上の原子吸着層の電子状態(I.アルカリ吸着)
- 28p-P-8 Na/A1(100)の電子状態の被覆度依存性
- 28p-P-7 Jellium上のAlkali原子吸着層の理論的研究 (II)
- 30p-D-4 Si(111)2×1/Alkali系の電子状態
- 28p-D-7 NbC, TaC(001) の表面フォノン
- 28a-A-8 半導体超格子のプラズモン : 井戸間相互作用の効果
- アルカリ吸着と仕事関数 (計算物理特集号)
- 31a-F4-7 シリコンの多体原子間tポテンシャル(表面・界面)
- 1p-F4-1 MBEの分子動力学シミュレーション(主題:表面の成長過程,表面・界面シンポジウム)
- 31a-F4-2 MBEの分子動力学によるシミュレーンヨンII(表面・界面)
- 27a-H-6 Jellium上のAlkali原子吸着層の理論的研究(1)(表面・界面)