金崎 順一 | 阪大産研
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概要
関連著者
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金崎 順一
阪大産研
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谷村 克己
阪大産研
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谷村 克巳
阪大産研
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谷村 克己
大阪大学産業科学研究所
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谷村 克己
大阪大 産科研
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稲見 栄一
阪大産研
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森川 良忠
阪大工
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木村 健太
阪大院基礎工
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市林 拓
阪大産研
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森川 良忠
阪大院工
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鶴田 淳二
阪大産研
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森州 良忠
阪大産研
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成瀬 延康
阪大産研
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市橋 数理
阪大産研
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杉田 吉聴
阪大産研
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森川 良忠
阪大産研
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木村 健太
阪大基礎工
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木村 健太
阪大産研
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金崎 順一
阪大・産研
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木村 健太
阪大・産研
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谷村 克己
阪大・産研
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那須 圭一郎
阪大産研
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宮内 國男
奈良先端大物質創成
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Fauste T.
Erlangen Univ.
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宮内 國男
阪大産研
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金崎 順一
大阪大学産業科学研究所
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那須 圭一郎
阪大産研:高エネ研
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堀池 秀紀
阪大産研
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谷村 洋
阪大産研
著作論文
- 20aGQ-2 フェムト秒2光子光電子分光によるSi表面占有状態中に生成した正孔の超高速緩和動力学II(20aGQ 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23pYH-8 グラファイト表面における光誘起構造相転移の研究(23pYH 表面界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27pXJ-1 フェムト秒パルスレーザー励起によるグラファイト表面構造変化III(27pXJ 表面ダイナミックス(金属表面),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25pXA-8 フェムト秒光励起によるグラファイト表面構造変化のトンネル顕微鏡観察II(光誘起相転移(鉄錯体・低次元系),領域5,光物性)
- 21aYD-10 フェムト秒光励起によるグラファイト表面構造変化のトンネル顕微鏡観察(21aYD 光誘起相転移II(鉄錯体系・その他),領域5(光物性))
- 23aRJ-7 フェムト秒レーザー光励起によるグラファイト表面原子層の剥離(表面界面ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 23aRJ-8 フェムト秒レーザー光励起によるグラファイト表面構造変化 IV(表面界面ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 26pXD-1 フェムト秒パルスレーザー励起によるグラファイト表面構造の変化(表面・界面ダイナミクス,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 26pYC-6 キャリア注入によるInP(110)-(1×1)表面におけるボンド切断(26pYC 表面界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 20aGQ-3 Si(111)-(7x7)の表面電子構造:再訪II(20aGQ 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26aYG-1 Si(111)-(7×7)の表面電子構造 : 再訪(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 28aTE-6 Si(111)7x7表面における光励起ボンド切断における温度の効果II(28aTE 表面・界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 20pXB-4 Si(111)7×7表面における光励起ボンド切断における温度の効果(20pXB 表面界面ダイナミクス,領域9,領域4合同招待講演,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 20pXB-3 高分解能低エネルギー電子線励起によるSi(111)7×7表面構造変化の機構(20pXB 表面界面ダイナミクス,領域9,領域4合同招待講演,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23aWX-2 フェムト秒2光子光電子分光によるSi表面占有状態中に生成した正孔の超高速緩和動力学III(23aWX 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23aRC-10 フェムト秒光励起によるグラファイト表面構造相転移 : 励起波長依存性(23aRC 光誘起相転移(錯体化合物,グラファイト),領域5(光物性))
- 27aXJ-3 InP(110)-(1x1)表面の光誘起ボンド切断におけるサイト相関2(27aXJ 表面ダイナミックス(半導体表面),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21aWH-4 H/Si(001)2x1表面における低エネルギー電子線誘起結合切断機構(表面界面ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 半導体表面におけるレーザー光誘起脱離とその電子的機構
- 26pYC-8 Si(100)2×1-H表面における電子線励起誘起結合切断機構(26pYC 表面界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27aXJ-2 低エネルギー電子線励起によるSi(111)-(7x7)表面構造の変化IV(27aXJ 表面ダイナミックス(半導体表面),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25pXD-2 低エネルギー電子線励起によるSi(111)-(7×7)表面構造の変化III(表面・界面ダイナミクス,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 25aHC-11 フェムト秒光励起によるグラファイト表面構造相転移 : パルス幅依存性(25aHC 光誘起相転移(錯体化合物,TTF-CA,グラファイト),領域5(光物性))
- 28aHC-4 フェムト秒時間分解光電子分光によるSi価電子正孔系の超高速動力学(28aHC 超高速現象,領域5(光物性))
- 21aRB-1 フェムト秒時間分解光電子分光によるSi価電子正孔系の超高速動力学II(21aRB 超高速現象,領域5(光物性))
- 23pTC-5 励起パルス時間幅に依存するグラファイト光構造相転移の核形成過程(23pTC 領域5,領域7合同 光誘起相転移,領域5(光物性))
- 26pBL-7 フェムト秒時間分解光電子分光による半導体価電子正孔系の超高速動力学(26pBL 超高速現象,領域5(光物性))
- 20aHB-12 直接遷移型半導体における超高速キャリア動力学 : フェムト秒時間分解光電子分光II(20aHB 非線形光学・超高速現象,領域5(光物性))
- 20aHB-11 直接遷移型半導体における超高速キャリア動力学 : フェムト秒時間分解光電子分光I(20aHB 非線形光学・超高速現象,領域5(光物性))
- 28pEJ-5 直接遷移型半導体における超高速キャリア動力学 : フェムト秒時間分解光電子分光III(28pEJ 超高速現象,領域5(光物性))
- 27pDB-7 直接遷移型半導体における超高速キャリア動力学 : フェムト秒時間分解光電子分光 IV(超高速現象,領域5(光物性))
- 27pDB-9 半導体中の高励起電子状態の超高速緩和過程(超高速現象,領域5(光物性))