稲見 栄一 | 阪大産研
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概要
関連著者
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稲見 栄一
阪大産研
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谷村 克己
阪大産研
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谷村 克巳
阪大産研
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金崎 順一
阪大産研
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谷村 克己
大阪大学産業科学研究所
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石川 憲一
阪大産研
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谷村 克己
大阪大 産科研
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金崎 順一
大阪市大工
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鶴田 淳二
阪大産研
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稲見 栄一
大阪大学産業科学研究所
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稲見 栄一
名大理
著作論文
- 25pXA-8 フェムト秒光励起によるグラファイト表面構造変化のトンネル顕微鏡観察II(光誘起相転移(鉄錯体・低次元系),領域5,光物性)
- 21aYD-10 フェムト秒光励起によるグラファイト表面構造変化のトンネル顕微鏡観察(21aYD 光誘起相転移II(鉄錯体系・その他),領域5(光物性))
- 23aRJ-8 フェムト秒レーザー光励起によるグラファイト表面構造変化 IV(表面界面ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 26pYC-6 キャリア注入によるInP(110)-(1×1)表面におけるボンド切断(26pYC 表面界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27aXJ-1 Si(111)-(2×1)表面における光誘起構造変化機構VI(27aXJ 表面ダイナミックス(半導体表面),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 20pXA-9 Si(111)-(2×1)表面における光誘起構造変化機構V(表面・界面ダイナミクス(半導体表面・実験),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 13aXF-12 Si(111)-(2×1)表面における光誘起構造変化機構 IV(表面界面ダイナミクス : シリコン・ダイヤモンド, 領域 9)
- 28pWR-2 Si(111)-(2x1)表面における光誘起構造変化機構III(表面界面ダイナミクス(電子励起・摩擦))(領域9)
- 20pYD-3 Si 再構成表面における光誘起表面構造変化機構
- 23aRC-10 フェムト秒光励起によるグラファイト表面構造相転移 : 励起波長依存性(23aRC 光誘起相転移(錯体化合物,グラファイト),領域5(光物性))
- 28aZF-9 Si(111)-(2×1) 表面における光誘起構造変化機構 II
- 19pTF-5 Si(111)-(2×1)表面上の光誘起構造変化に対する表面励起状態の役割
- 25aHC-11 フェムト秒光励起によるグラファイト表面構造相転移 : パルス幅依存性(25aHC 光誘起相転移(錯体化合物,TTF-CA,グラファイト),領域5(光物性))
- 23pTC-5 励起パルス時間幅に依存するグラファイト光構造相転移の核形成過程(23pTC 領域5,領域7合同 光誘起相転移,領域5(光物性))
- 24pBL-8 VO_2における光誘起相転移 : フェムト秒時間分解吸収分光II(24pBL 光誘起相転移(酸化物・金属錯体など),領域5(光物性))