宇田 毅 | JRCAT
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概要
関連著者
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宇田 毅
JRCAT-ATP
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宇田 毅
JRCAT
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内山 登志弘
JRCAT-ATP
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内山 登志弘
産業技術融合領域研究所アトムテクノロジー研究体
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寺倉 清之
北陸先端大融合院
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寺倉 清之
Jrcat
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宇田 毅
アドバンスソフト
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内山 登志弘
JRCAT
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山崎 隆浩
株式会社富士通研究所
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金田 千穂子
富士通研
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金田 千穂子
富士通研究所
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山崎 隆浩
富士通研究所
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山崎 隆浩
富士通研
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宇田 毅
(株)ASMS
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加藤 弘一
(株)東芝研究開発センター新機能材料・デバイスラボラトリー
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梶山 博司
日立 基礎研
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梶山 博司
(株)日立製作所基礎研究所
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橋詰 富博
日立基礎研
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橋詰 富博
東北大WPI-AIMR
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梶山 博司
日立基礎研
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加藤 弘一
東芝研開C
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梶山 博司
日立日立研
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加藤 弘一
東芝基礎研
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加藤 弘一
東芝研開セ
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中崎 靖
東芝研開セ
著作論文
- 26aPS-8 Sio_2/Si(001)界面の電子構造
- 27a-PS-11 SiO_2/Si(001)界面構造と電子状態
- 31a-PS-20 SiO_2/Siの界面構造(II)
- 7a-PS-31 SiO_2/Siの界面構造
- 24pW-17 水素終端シリコン表面のダングリングボンドでの酸化過程
- 30p-S-2 水素終端Si(100)2x1表面のダングリングボンドでの酸化構造(実験)
- 27a-PS-10 Si(100)面における初期酸化進行過程(II)
- 31a-PS-21 Si(100)面における初期酸化進行過程
- 6a-B-11 Si(100)面の酸化反応のactive mode
- 25aWD-11 NOによるSi(100)の酸窒化反応過程(25aWD 結晶成長,表面界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長分野))