梶山 博司 | 日立 基礎研
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概要
関連著者
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梶山 博司
日立 基礎研
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梶山 博司
(株)日立製作所基礎研究所
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橋詰 富博
東北大WPI-AIMR
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梶山 博司
日立
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平家 誠嗣
株式会社日立製作所基礎研究所
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橋詰 富博
日立基礎研
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加藤 弘一
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梶山 博司
日立基礎研
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内山 登志弘
産業技術融合領域研究所アトムテクノロジー研究体
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和田 恭雄
日立 基礎研
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和田 恭雄
(株)日立製作所基礎研究所
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橋詰 富博
(株)日立製作所基礎研究所
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JRCAT-ATP
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宇田 毅
JRCAT-ATP
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平家 誠嗣
日立製作所基礎研究所
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橋詰 富博
日立製作所基礎研究所
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金材技研
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金材技研
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梶山 博司
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東芝基礎研
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日立・基礎研
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平家 誠嗣
日立・基礎研
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和田 恭雄
日立製作所基礎研究所
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物質材料研究機構:東大生産研
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梶山 博司
日立製作所基礎研究所
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平家 誠嗣
日立中研
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宇田 毅
(株)ASMS
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宇田 毅
JRCAT
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平家 誠嗣
日立基礎研
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橋詰 富博
株式会社日立製作所基礎研究所
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東北大WPI-AIMR
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長谷川 哲也
神奈川科学技術アカデミー
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石橋 雅義
日立製作所 基礎研究所
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渡邊 聡
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小池 和幸
日立 基礎研
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長谷川 哲也
東工大応セラ研
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梶山 博司
株式会社日立製作所日立研究所
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平家 誠嗣
(株)日立製作所基礎研究所
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宇田 毅
産業技術融合領域研究所アトムテクノロジー研究体
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来田 歩
名大
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松井 正顯
名大
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和田 恭雄
株式会社日立製作所基礎研究所
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長谷川 哲也
東工大, 科技団
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松井 正顯
名大工
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加藤 弘一
東芝研開C
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橋詰 富博
東芝基礎研
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小池 和幸
産業技術総合研究所つくば中央第4事業所アトムテクノロジー研究体:産業技術総合研究所強相関電子技術研究センター:日立製作所中央研究所
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来田 歩
名古屋大学大学院工学研究科
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宇田 毅
アドバンスソフト
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一杉 太郎
東大工・超伝導
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梶山 博司
日立・基礎研
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和田 恭雄
日立・基礎研
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渡邊 聡
東大工・材料
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北沢 宏一
東大工・超伝導
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加藤 弘一
(株)東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー
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Matsui M
Department Of Materials Science And Engineering Nagoya University
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来田 歩
(株)日立基礎研
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北沢 宏一
東大院工:東大院新領域:科技団
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橋詰 富博
(株)日立製作所中央研究所
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内山 登志弘
JRCAT
著作論文
- シリコン表面の未結合ボンドでの初期酸化反応
- Feナノワイヤーアレイの作製と磁気抵抗効果
- 30p-S-4 水素終端Si(100)表面上でのSi island形成に関する理論的研究
- 30p-S-3 水素終端Si(100)2x1表面でのSiの吸着拡散過程
- 走査プローブ顕微鏡を用いた10ナノメータレベルリソグラフィー
- 24pW-17 水素終端シリコン表面のダングリングボンドでの酸化過程
- 30p-S-2 水素終端Si(100)2x1表面のダングリングボンドでの酸化構造(実験)
- 30p-S-1 水素終端シリコン表面のダングリングボンドでの酸化構造(理論)
- 30a-YF-12 Si(100)-2X1-H上に作製したダングリングボンド構造のSTM/STS測定
- 水素終端シリコン表面における初期酸素吸着の原子レベル観察
- 水素終端シリコン表面における初期酸素吸着の原子レベル観察