走査プローブ顕微鏡を用いた10ナノメータレベルリソグラフィー
スポンサーリンク
概要
著者
-
橋詰 富博
株式会社日立製作所基礎研究所
-
石橋 雅義
株式会社日立製作所基礎研究所
-
平家 誠嗣
株式会社日立製作所基礎研究所
-
橋詰 富博
東北大WPI-AIMR
-
石橋 雅義
日立製作所 基礎研究所
-
梶山 博司
株式会社日立製作所日立研究所
-
梶山 博司
日立 基礎研
-
梶山 博司
日立
-
梶山 博司
(株)日立製作所基礎研究所
-
和田 恭雄
株式会社日立製作所基礎研究所
-
和田 恭雄
日立 基礎研
-
和田 恭雄
(株)日立製作所基礎研究所
関連論文
- 21aGE-3 STM/STSを用いたSrTiO_3薄膜の電子状態評価(21aGE Ti・V酸化物,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 22aTB-8 第一原理計算による絶縁膜・有機半導体界面の単分子膜の研究(22aTB 有機FET1,領域7(分子性固体・有機導体))
- SPMを用いた卓上微細加工装置とその応用(SPMを用いた微細加工)
- 超分子構造を用いた分子被覆導線
- 分子ナノチューブを用いた分子被覆導線
- 大気中で動作する軽くて柔らかな有機アクチュエータ(キーコンポーネント,ロボット)
- APS会議報告
- STMナノファブリケーションを用いたSi(111)表面電気伝導度の測定
- 半導体表面上の原子サイズ細線における強磁性の可能性
- シリコン表面におけるGa細線の形成とその特性
- プラスチック基板用MgF_2光学膜コーティング技術の開発
- シリコン表面の未結合ボンドでの初期酸化反応
- Feナノワイヤーアレイの作製と磁気抵抗効果
- 30p-S-4 水素終端Si(100)表面上でのSi island形成に関する理論的研究
- 30p-S-3 水素終端Si(100)2x1表面でのSiの吸着拡散過程
- 走査プローブ顕微鏡を用いた10ナノメータレベルリソグラフィー
- 3403 熱式浮上量調整スライダの浮上面電位測定(S70-1 情報機器コンピュータメカニクス(1),S70 情報機器コンピュータメカニクス)
- 26pTD-12 超伝導Nb探針を用いたFI(Field Ion)-STM(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 24pW-17 水素終端シリコン表面のダングリングボンドでの酸化過程
- 30p-S-2 水素終端Si(100)2x1表面のダングリングボンドでの酸化構造(実験)
- 30p-S-1 水素終端シリコン表面のダングリングボンドでの酸化構造(理論)
- 原子間力顕微鏡のカンチレバーを用いた摩耗試験(S51-4 トライボロジーの基礎と応用(IV),S51 トライボロジーの基礎と応用)
- パターンドメディアの作製および磁気特性の評価
- professional report 走査プローブ顕微鏡による評価技術--ナノの世界を視る,操る,探る
- 21aRB-12 第一原理計算による金属・有機半導体界面の機能性単分子膜の研究(有機FET1,領域7,分子性固体・有機導体)
- 21pRJ-3 第一原理計算による金属・有機半導体界面の自己組織化単分子膜の研究(有機FET2,領域7,分子性固体・有機導体)
- 有機半導体の界面に期待するもの
- 21pYE-13 水素終端Si表面上の導電性高分子の電子状態(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 走査型トンネル顕微鏡が捉えるナノメータスケール構造の時間変化
- 交換バイアス型スピンバルブ素子のスピントルク磁化反転
- 28pWP-4 第一原理計算による水素終端Si(100)面のダイハイドライド鎖の研究(表面界面構造(半導体))(領域9)
- 走査プローブ微細加工法による極微細電極の調整と高分子ナノワイヤの電気伝導度測定
- 水素終端シリコン表面における原子細線の構造緩和
- 水素終端シリコン表面における原子細線の構造緩和
- 21pRA-7 単分子の電気伝導 : 期待と現状
- 31aWD-5 水素終端 Si 表面におけるドーバントペア構造の量子効果
- イオンプレーテイング法によるMgO薄膜の形成
- イオンプレーティング法で作製したMgO薄膜の二次電子放電特性
- イオンプレーティング法によるMgO薄膜の作製
- イオンプレーティング法で作製したMgO薄膜の二次電子放出特性
- イオンプレーティング法によるMgO薄膜の作製
- イオンプレーティング法で作製したMgO薄膜の二次電子放出特性
- イオンプレーティング法によるMgO薄膜の作製
- 23pWA-13 第一原理電荷解析によるシリコン表面異常拡散現象の研究
- 30p-S-5 水素終端シリコン表面上のガリウム原子拡散
- 25a-YM-4 Si(100)2×1-H上に作製したダングリングボンド構造のパイエルス変形
- 25a-YM-3 水素終端シリコン表面上のガリウム原子拡散の理論的研究
- 30a-YF-12 Si(100)-2X1-H上に作製したダングリングボンド構造のSTM/STS測定
- 25pWB-12 SrTiO_3(001)-(√×√)再構成表面の作製と評価(25pWB Ru酸化物・Ti酸化物,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 分子ナノエレクトロニクスの展望
- 分子エレクトロニクスの展望
- 夢その2-より小さく- 原子・分子操作による新素子創製
- 微小STMによる分子機能素子特性計測への試み
- 原子細線を自由にパターニング -「原子エレクトロニクス」の実現に向けて-
- 原子サイズデバイスの提案
- 単電子トンネリングと分子電子デバイスへの応用
- 単電子トンネリングと分子デバイスへの応用の可能性
- シリコンマイクロマシニングによるステップアクチュエータ (マイクロマシン)
- さらなる発展を期して
- 30p-YF-11 拡張Δ鎖上のHubbardモデルの強磁性
- カリウム黒鉛層間化合物による燃料電池用触媒電極の作製
- カリウム黒鉛層間化合物によるPt(4)イオンの還元
- 25a-YM-2 Si(100)2×n表面上のFeクラスター列の作製
- 25pB06 AC-PDPにおける放電発光動的過程の解析的検討(プラズマ基礎・応用I)
- 水素終端シリコン表面における初期酸素吸着の原子レベル観察
- 水素終端シリコン表面における初期酸素吸着の原子レベル観察
- 3052 原子間力顕微鏡のプローブを用いた通電試験(S81-3 トライボロジーの基礎と応用(3),S81 トライボロジーの基礎と応用)
- 5205 原子間力顕微鏡のカンチレバーを用いた摩耗試験(第3報)(S65-2 摩耗,S65 トライボロジーの基礎と応用)
- 2921 原子間力顕微鏡のカンチレバーを用いた摩耗試験(第2報)(S64-2 トライボロジーの基礎と応用(2),S64 トライボロジーの基礎と応用)
- 29p-R-8 ナノ構造を用いた表面準位電気伝導度の直接測定
- 1p-YA-4 原子プロキシミティー場の実現に向けて
- 25p-B-9 偶数員環鎖上の平坦バンド強磁性
- 30p-N-7 原子細線におけるフラットバンド磁性の可能性
- Si 表面上の Ga 原子細線における強磁性の可能性
- 5a-B-6 水素終端シリコン表面上のガリウム原子細線の理論計算 : 強磁性発現の可能性
- 5a-B-2 水素終端シリコン(100)表面上の原子細線の電子状態
- 水素終端シリコン表面上の未結合ボンド細線におけるガリウム原子吸着の安定構造と電子状態の理論計算
- 31p-PSB-32 水素終端シリコン表面上の原子サイズ細線の電子状態の理論計算II
- 30a-PS-7 水素終端シリコン表面上の原子サイズ細線の電子状態の理論計算
- 30a-YF-13 水素終端シリコン(100)2X1表面上の原子細線の電子状態II
- 原子を並べて磁石を創る--フラットバンド強磁性の実現の可能性
- 23pGE-6 半導体、金属、誘電体界面の顕微評価の重要性(23pGE 領域10,領域8合同シンポジウム:超低速ミュオン顕微鏡:その限りない可能性を探る,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 23pGE-6 半導体、金属、誘電体界面の顕微評価の重要性(23pGE 領域10,領域8合同シンポジウム:超低速ミュオン顕微鏡:その限りない可能性を探る,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 25pWD-7 水素終端Si(100)表面のドーパントダイマー構造の第一原理計算(25pWD 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長分野))