原子サイズデバイスの提案
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概要
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MOSトランジスタの限界を越える、将来の原子サイズ超高性能デバイスの可能性を提案した。原子細線、スイッチング原子等からなり、原子の機械的な動きをスイッチングの原理とするアトムリレートランジスタ(Atom Relay Transistor, ART)、および分子の、伝導性と絶縁性を利用する分子単電子トランジスタ(Molecular Single Electron Switching Device: MOSES)の特性をシミュレーションで示した。情報処理デバイスとして必要な特性を評価し、これらがMOSトランジスタよりも3桁高性能である可能性があることを示した。また、これらのデバイス実現に必要な原子、分子操作技術の開発方向を述べた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-04-25
著者
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