30a-PS-7 水素終端シリコン表面上の原子サイズ細線の電子状態の理論計算

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概要

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• 社団法人日本物理学会の論文
• 1995-09-12

著者

• 橋詰 富博

  日立基礎研

• 橋詰 富博

  東北大WPI-AIMR

• 渡邊 聡

  東大工

• 小野 義正

  日立

• 山内 淳

  慶大理工

• 塚田 捷

  東大理

• 渡邊 聡

  新技団青野プロジェクト

• 和田 恭雄

  日立基礎研 Crest

• 渡邊 聰

  東大工

• 渡邊 聰

  東大 大学院

• 山内 淳

  東大理

• 小野 義正

  日立基礎研

• 渡邊 聰

  日立基礎研

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