28pWP-4 第一原理計算による水素終端Si(100)面のダイハイドライド鎖の研究(表面界面構造(半導体))(領域9)
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概要
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- 社団法人日本物理学会の論文
- 2004-03-03
著者
-
諏訪 雄二
日立基礎研
-
平家 誠嗣
日立基礎研
-
橋詰 富博
日立基礎研
-
平家 誠嗣
株式会社日立製作所基礎研究所
-
橋詰 富博
東北大WPI-AIMR
-
藤森 正成
日立中研
-
藤森 正成
日立基礎研
-
寺田 康彦
日立基礎研
-
平家 誠嗣
日立中研
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